Карбид-кремниевые MOSFET серии CoolSiC - шаг навстречу энергоэффективному и экологичному миру
Обобщив богатый опыт и ноу-хау в сфере силовой электроники, компания Infineon представляет CoolSiC™ MOSFET — революционную технологию, позволяющую кардинально улучшить параметры устройств.
По сравнению с традиционными ключами на базе кремния, такими как IGBT и MOSFET, карбид-кремниевые (SiC) полевые транзисторы обладают существенными преимуществами. Приборы CoolSiC™ выпускаются на напряжения 1700, 1200 и 650 В. Они идеальны для таких применений, как инверторы для солнечной энергетики, системы хранения энергии, электропривод, различные зарядные устройства и ключевые источники электропитания.
Карбид-кремниевые транзисторы сочетают в себе отличные характеристики, надёжность и простоту использования в разработках. Технология CoolSiC™ выводит КПД и надёжность новых устройств силовой электроники на доселе невиданный уровень.
Карбид-кремниевые MOSFET серии CoolSiC - шаг навстречу энергоэффективному и экологичному миру
Обобщив богатый опыт и ноу-хау в сфере силовой электроники, компания Infineon представляет CoolSiC™ MOSFET — революционную технологию, позволяющую кардинально улучшить параметры устройств.
По сравнению с традиционными ключами на базе кремния, такими как IGBT и MOSFET, карбид-кремниевые (SiC) полевые транзисторы обладают существенными преимуществами. Приборы CoolSiC™ выпускаются на напряжения 1700, 1200 и 650 В. Они идеальны для таких применений, как инверторы для солнечной энергетики, системы хранения энергии, электропривод, различные зарядные устройства и ключевые источники электропитания.
Карбид-кремниевые транзисторы сочетают в себе отличные характеристики, надёжность и простоту использования в разработках. Технология CoolSiC™ выводит КПД и надёжность новых устройств силовой электроники на доселе невиданный уровень.
Читать статьи »