Компания STMicroelectronics предлагает бюджетные решения для беспроводных приложений на кристалле STM32WLE5CCU6
STM32WLE5CCU6 STM32WLE5CBU6
Компания STMicroelectronics предлагает бюджетные решения для беспроводных приложений, где не требуется высочайшая производительность системы – одноядерные системы-на-кристалле STM32WLE5CCU6 и STM32WLE5CBU6. В отличие от двухъядерных чипов STM32WL55x, здесь нет отдельного ядра Cortex-M0 в радиочасти, что позволило снизить цену кристалла.
Микросхемы STM32WLE5x созданы с применением патентованных технологий STMicroelectronics, которые позволяют организовать передачу данных в диапазоне частот 150…960 МГц с модуляцией LoRa®, (G)FSK, (G)MSK и BPSK. Чувствительность приемника достигает -148 дБм для модуляции LoRa® и -123 дБм для классической модуляции 2-FSK. Встроенный высокоэффективный усилитель развивает максимальную мощность +22 дБм при потреблении лишь 110 мА (433 МГц @ 3,3 В). Для экономии энергии батарей можно переключаться на режим + 14 дБм c потреблением 21 мА.
Микросхема позволяет реализовать протоколы LoRaWAN®, Sigfox™, W-MBus, а также различные проприетарные протоколы для FSK-модуляции, что обеспечивает совместимость с существующими устройствами передачи данных, построенными на микросхемах различных производителей.
Компания STMicroelectronics предлагает бюджетные решения для беспроводных приложений на кристалле STM32WLE5CCU6
STM32WLE5CCU6 STM32WLE5CBU6
Компания STMicroelectronics предлагает бюджетные решения для беспроводных приложений, где не требуется высочайшая производительность системы – одноядерные системы-на-кристалле STM32WLE5CCU6 и STM32WLE5CBU6. В отличие от двухъядерных чипов STM32WL55x, здесь нет отдельного ядра Cortex-M0 в радиочасти, что позволило снизить цену кристалла.
Микросхемы STM32WLE5x созданы с применением патентованных технологий STMicroelectronics, которые позволяют организовать передачу данных в диапазоне частот 150…960 МГц с модуляцией LoRa®, (G)FSK, (G)MSK и BPSK. Чувствительность приемника достигает -148 дБм для модуляции LoRa® и -123 дБм для классической модуляции 2-FSK. Встроенный высокоэффективный усилитель развивает максимальную мощность +22 дБм при потреблении лишь 110 мА (433 МГц @ 3,3 В). Для экономии энергии батарей можно переключаться на режим + 14 дБм c потреблением 21 мА.
Микросхема позволяет реализовать протоколы LoRaWAN®, Sigfox™, W-MBus, а также различные проприетарные протоколы для FSK-модуляции, что обеспечивает совместимость с существующими устройствами передачи данных, построенными на микросхемах различных производителей.
Подробнее »