Конденсаторы TDK CeraLink революционизируют решения для высокочастотных инверторов
28.05.2015

Запатентованная TDK новая технология антисегнетоэлектрических конденсаторов позволила создать устройства, емкость которых увеличивается с ростом приложенного напряжения.

Эта уникальная особенность делает конденсаторы CeraLink идеальным решением для снабберных приложений.

TDK - CeraLink

Благодаря исключительно низким значениям эквивалентной последовательной индуктивности (ESL) и эквивалентного последовательного сопротивления (ESR), конденсаторы CeraLink могут использоваться на высоких частотах переключения совместно с недорогими и более надежными полупроводниковыми приборами, например, с быстродействующими IGBT вместо MOSFET. Новейшие IGBT имеют отличное соотношение цена/качество, прежде всего, благодаря значительно более простой технологии производства, кристаллам, размеры которых нередко меньше, чем у MOSFET и высоким частотам переключения. Стоимость такого решения обычно примерно на треть меньше, чем решения на базе MOSFET. Более того, за счет снижения емкости конденсаторов, площади печатной платы, габаритов индуктивных компонентов и размеров радиаторов общая стоимость изделия может быть уменьшена более чем на 40%.

TDK - CeraLink
Изменение емкости конденсатора в зависимости от приложенного напряжения.

При интеграции в систему конденсаторы CeraLink уменьшают риск повреждения полупроводников возникающими внутри устройства выбросами напряжения. Использование их в качестве демпфера позволяет полупроводникам постоянно оставаться в области безопасной работы.

Новое запатентованное решение

Многослойная конструкция конденсаторов, в которой недавно разработанный керамический материал объединен с медными внутренними электродами, дает очевидные преимущества как по стоимости, так и по параметрам технических решений.

Преимущества

  • ESR, резко уменьшающееся с ростом температуры
  • Очень низкое значение ESL
  • Низкие потери в медных внутренних электродах позволяют использовать конденсаторы на более высоких частотах переключения, увеличивая скорость нарастания при больших токах
  • Могут использоваться на частотах переключения до 1 МГц и более
  • Диапазон рабочих температур, расширенный до +150 °C (соответствующий SiC/GaN приборам)
  • Низкие потери на высоких частотах
  • Поддерживают быстродействующие полупроводниковые приборы
  • Позволяют на системном уровне уменьшить габариты силовой электроники
  • Ультранизкий ток утечки, обусловленный правильно выбранным материалом
  • Снижение потерь в диэлектрике при повышении частоты
  • Выводы под пайку и для современной прессовой посадки
  • Емкость увеличивается с ростом постоянного рабочего напряжения
  • Компактный корпус с опциями для монтажа в типовые силовые модули для промышленного и автомобильного оборудования
  • Доступны специальные типы для интеграции в силовые модули (IGBT, MOSFET, SiC)

Отличительные особенности

  • Высокая удельная емкость
  • исключительно низкие значения ESR и ESL
  • Высокая плотность тока, эффективное подавление пульсаций напряжения
  • Эффективная емкость возрастает с увеличением напряжения
  • Работают в условиях повышенных температур
  • Низкие потери на высоких частотах
  • Поддерживают быстродействующие полупроводниковые приборы
  • Обеспечивают дальнейшую миниатюризацию силовой электроники на системном уровне

Основные технические характеристики:

  • Сопротивление изоляции более 1 ГОм гарантирует низкий ток утечки, особенно при повышенных температурах
  • Очень низкое значение ESL: менее 3.5 нГ
  • Диапазон рабочих температур от –40 °C до +125 °C (до +150 °C при кратковременном воздействии) позволяет использовать конденсаторы в SiС и GaN силовых модулях

Перевод: Алексей Ревенко по заказу РадиоЛоцман

Подробнее >>

Реклама