Micron Technology представила экономичную DDR3 память с высокой пропускной способностью. SODIMM-модули на базе этой памяти удовлетворяют двум основным требованиям разработчиков мобильной техники, в частности ноутбуков : низкая потребляемая мощность и высокая производительность. Благодаря пониженному напряжению питания 1.35 В (стандартным для SODIMM DDR3 является 1.5 В) потребляемая мощность модулей снижена на 20%. Важно отметить, что снижение потребления не сказалось на производительности памяти. Пропускная способность достигает 1333 Мб/с, что на данный момент является максимальным значением для мобильной памяти. Таким образом, новая память Micron не уступает конкурентам по производительности и существенно выигрывает по потребляемой мощности. SODIMM-модули представлены версиями на 1 и 2 ГБ, но готовятся к производству и 4 ГБ "планки".
Общее описание
Micron Technology представила экономичную DDR3 память с высокой пропускной способностью. SODIMM-модули на базе этой памяти удовлетворяют двум основным требованиям разработчиков мобильной техники, в частности ноутбуков : низкая потребляемая мощность и высокая производительность. Благодаря пониженному напряжению питания 1.35 В (стандартным для SODIMM DDR3 является 1.5 В) потребляемая мощность модулей снижена на 20%. Важно отметить, что снижение потребления не сказалось на производительности памяти. Пропускная способность достигает 1333 Мб/с, что на данный момент является максимальным значением для мобильной памяти. Таким образом, новая память Micron не уступает конкурентам по производительности и существенно выигрывает по потребляемой мощности. SODIMM-модули представлены версиями на 1 и 2 ГБ, но готовятся к производству и 4 ГБ "планки".
Технические характеристики:
Применение:
ПЭК