Boise, Idaho, 9 декабря, 2002. Micron Technology объявила о начале опытного производства микросхем флэш-памяти с многоуровневыми ячейками емкостью 128 Мбит. Новые микросхемы получили фирменное название Q-Flash. Micron уже поставляет данные чипы емкостью 32 и 64 Мбит, которые кстати полностью совместимы по контактам и функциям с чипами StrataFlash компании Интел.
Главной особенностью Q-Flash является использование многоуровневых ячеек памяти. Такие ячейки способны хранить сразу несколько бит информации, которые кодируются различными уровнями заряда. За счет этого плотность упаковки информации значительно повышается.
Аналогичная флэш-память, в ячейках которой могут храниться сразу два бита, выпускается компанией AMD. Ее технология несколько отличается от технологий Интел и Micron и называется MirrorBit. При этом AMD заявляет, что память MirrorBit быстрее и надежнее памяти с многоуровневыми ячейками, поскольку в случае с MirrorBit биты располагаются в дискретных и независимых друг от друга участках ячейки памяти.
Главной особенностью Q-Flash является использование многоуровневых ячеек памяти. Такие ячейки способны хранить сразу несколько бит информации, которые кодируются различными уровнями заряда. За счет этого плотность упаковки информации значительно повышается.
Аналогичная флэш-память, в ячейках которой могут храниться сразу два бита, выпускается компанией AMD. Ее технология несколько отличается от технологий Интел и Micron и называется MirrorBit. При этом AMD заявляет, что память MirrorBit быстрее и надежнее памяти с многоуровневыми ячейками, поскольку в случае с MirrorBit биты располагаются в дискретных и независимых друг от друга участках ячейки памяти.