Компания Micron Technology анонсировала производство высокоемких микросхем памяти типа BA NAND (Block Abstracted NAND). BA NAND представляет собой комбинацию многоуровневой флэш-памяти (MLC NAND) и контроллера памяти в одном корпусе. Контроллер реализует алгоритм, выравнивающий среднее количество циклов перезаписи на каждый блок, продлевая срок службы флэш-памяти в целом, а также содержит схемы коррекции ошибок ECC (error-correcting code) и управления .битыми. блоками. Такая организация позволяет снизить нагрузку на хост-контроллер и упростить его структуру, исключив из нее соответствующие функциональные блоки. Наличие стандартного для флэш-памяти интерфейса ONFI (Open NAND Flash Interface) позволяет без существенных затрат модернизировать устройства на основе классической памяти Raw NAND. Линейка выполнена по 34-нм технологическому процессу и в настоящее время представлена микросхемами емкостью 8 и 16 ГБ, но ко второй половине 2009 года будут доступны чипы емкостью 32 ГБ!
Компания Micron Technology анонсировала производство высокоемких микросхем памяти типа BA NAND (Block Abstracted NAND). BA NAND представляет собой комбинацию многоуровневой флэш-памяти (MLC NAND) и контроллера памяти в одном корпусе. Контроллер реализует алгоритм, выравнивающий среднее количество циклов перезаписи на каждый блок, продлевая срок службы флэш-памяти в целом, а также содержит схемы коррекции ошибок ECC (error-correcting code) и управления .битыми. блоками. Такая организация позволяет снизить нагрузку на хост-контроллер и упростить его структуру, исключив из нее соответствующие функциональные блоки. Наличие стандартного для флэш-памяти интерфейса ONFI (Open NAND Flash Interface) позволяет без существенных затрат модернизировать устройства на основе классической памяти Raw NAND. Линейка выполнена по 34-нм технологическому процессу и в настоящее время представлена микросхемами емкостью 8 и 16 ГБ, но ко второй половине 2009 года будут доступны чипы емкостью 32 ГБ!
Применение:
Терраэлектроника