MOSFET с суперпереходом с наименьшим в отрасли показателем RDS(ON)∙QG предназначены для телекоммуникационных, промышленных и корпоративных приложений
Компания Vishay представила первый прибор из серии E мощных 600-вольтовых MOSFET четвертого поколения. Разработанный подразделением Vishay Siliconix n-канальный транзистор SiHP065N60E отличается от аналогичных MOSFET предыдущего поколения, в первую очередь, сопротивлением открытого канала, уменьшенным на 30%, и сниженным на 44% зарядом затвора. Новый прибор обеспечит высокий КПД источников питания телекоммуникационных, промышленных и корпоративных приложений. В результате удалось создать прибор с наименьшим в отрасли произведением заряда затвора на сопротивление канала – ключевым показателем качества 600-вольтовых MOSFET, используемых в силовых преобразователях.
«Мы стремимся предоставить нашим клиентам широкую линейку MOSFET, которые могут использоваться во всех каскадах преобразователей энергии, требующихся новейшим электронным системам – от высоковольтных входов до низковольтных выходов, – сказал Дэвид Грей (David Grey), старший директор по развитию рынка компании Vishay. – SiHP065N60E и готовящиеся к выпуску другие 600-вольтовые приборы серии E четвертого поколения позволят повысить КПД и плотность мощности в первых каскадах систем электропитания – корректорах коэффициента мощности и следующих за ними высоковольтных блоках DC/DC преобразователей».
Созданный на основе новейшей энергоэффективной технологии суперперехода транзистор SiHP065N60E при напряжении затвор-исток 10 В имеет максимальное сопротивление открытого канала всего 0.065 Ом, а заряд его затвора уменьшен до сверхнизкого значения 49 нКл. Произведение заряда затвора на сопротивление у новых устройств на 25% ниже, чем у ближайших аналогов того же класса, выпускаемых конкурентами, и составляет 2.8 Ом×нКл. Коммутационные характеристики устройств улучшены за счет низких эффективный значений выходной емкости CO(ER) и CO(TR), равных, соответственно, 93 пФ и 593 пФ. Эти значения, обеспечивая снижение потерь проводимости и переключения, сокращают потери энергии в корректорах коэффициента мощности и DC/DC преобразователях с жесткими режимами коммутации, используемыми в телекоммуникационных, промышленных и корпоративных системах электропитания.
Выпускаемые в корпусе TO-220AB транзисторы отвечают требованиям директивы RoHS и не содержат галогенов. Конструкция приборов обеспечивает устойчивость к выбросам напряжения в лавинном режиме с фиксированными уровнями отсечки, гарантированными стопроцентной проверкой на отсутствие защелкивания при коммутации индуктивной нагрузки.
Потребители имеют возможность получить единичные образцы SiHP065N60E. Промышленные партии транзисторов поставляются в течение 10 недель с момента подтверждения заказа.
MOSFET с суперпереходом с наименьшим в отрасли показателем RDS(ON)∙QG предназначены для телекоммуникационных, промышленных и корпоративных приложений
Компания Vishay представила первый прибор из серии E мощных 600-вольтовых MOSFET четвертого поколения. Разработанный подразделением Vishay Siliconix n-канальный транзистор SiHP065N60E отличается от аналогичных MOSFET предыдущего поколения, в первую очередь, сопротивлением открытого канала, уменьшенным на 30%, и сниженным на 44% зарядом затвора. Новый прибор обеспечит высокий КПД источников питания телекоммуникационных, промышленных и корпоративных приложений. В результате удалось создать прибор с наименьшим в отрасли произведением заряда затвора на сопротивление канала – ключевым показателем качества 600-вольтовых MOSFET, используемых в силовых преобразователях.
«Мы стремимся предоставить нашим клиентам широкую линейку MOSFET, которые могут использоваться во всех каскадах преобразователей энергии, требующихся новейшим электронным системам – от высоковольтных входов до низковольтных выходов, – сказал Дэвид Грей (David Grey), старший директор по развитию рынка компании Vishay. – SiHP065N60E и готовящиеся к выпуску другие 600-вольтовые приборы серии E четвертого поколения позволят повысить КПД и плотность мощности в первых каскадах систем электропитания – корректорах коэффициента мощности и следующих за ними высоковольтных блоках DC/DC преобразователей».
Созданный на основе новейшей энергоэффективной технологии суперперехода транзистор SiHP065N60E при напряжении затвор-исток 10 В имеет максимальное сопротивление открытого канала всего 0.065 Ом, а заряд его затвора уменьшен до сверхнизкого значения 49 нКл. Произведение заряда затвора на сопротивление у новых устройств на 25% ниже, чем у ближайших аналогов того же класса, выпускаемых конкурентами, и составляет 2.8 Ом×нКл. Коммутационные характеристики устройств улучшены за счет низких эффективный значений выходной емкости CO(ER) и CO(TR), равных, соответственно, 93 пФ и 593 пФ. Эти значения, обеспечивая снижение потерь проводимости и переключения, сокращают потери энергии в корректорах коэффициента мощности и DC/DC преобразователях с жесткими режимами коммутации, используемыми в телекоммуникационных, промышленных и корпоративных системах электропитания.
Выпускаемые в корпусе TO-220AB транзисторы отвечают требованиям директивы RoHS и не содержат галогенов. Конструкция приборов обеспечивает устойчивость к выбросам напряжения в лавинном режиме с фиксированными уровнями отсечки, гарантированными стопроцентной проверкой на отсутствие защелкивания при коммутации индуктивной нагрузки.
Потребители имеют возможность получить единичные образцы SiHP065N60E. Промышленные партии транзисторов поставляются в течение 10 недель с момента подтверждения заказа.
Перевод: Александр Русу по заказу РадиоЛоцман