NXP Semiconductors расширла линейку Trench 6 MOSFET девятнадцатью транзисторами на напряжения 25, 30, 40 и 80 В. Транзисторы выпускаются в корпусах TO-220 и Power SO-8 LFPAK (Loss Free Package).
NXP смогла значительно улучшить производительность и эффективность своих MOSFET за счет более низкого сопротивления во включенном состоянии и снижения потерь переключения за счет уменьшения заряда затвора и времени восстановления. Транзисторы в корпусах обоих типов рассчитаны на большие токи, большие плотности мощности и большие скорости переключения. Кроме того, применение Trench 6 MOSFET дает возможность использовать более малогабаритные индуктивности и конденсаторы, экономя место на печатной плате.
NXP Semiconductors расширла линейку Trench 6 MOSFET девятнадцатью транзисторами на напряжения 25, 30, 40 и 80 В. Транзисторы выпускаются в корпусах TO-220 и Power SO-8 LFPAK (Loss Free Package).
NXP смогла значительно улучшить производительность и эффективность своих MOSFET за счет более низкого сопротивления во включенном состоянии и снижения потерь переключения за счет уменьшения заряда затвора и времени восстановления. Транзисторы в корпусах обоих типов рассчитаны на большие токи, большие плотности мощности и большие скорости переключения. Кроме того, применение Trench 6 MOSFET дает возможность использовать более малогабаритные индуктивности и конденсаторы, экономя место на печатной плате.
Корпус
Наименование
VDS
RDS(ON) (тип.)
VGS=10 В
мОм
RDS(ON) (макс.)
VGS=10 В
мОм
LFPAK
PSMN1R2-25YL
25 В
0.9
1.2
PSMN1R5-25YL
1.13
1.5
PSMN1R3-30YL
30 В
1.06
1.3
PSMN1R7-30YL
1.29
1.7
PSMN2R0-30YL
1.55
2
PSMN2R5-30YL
1.79
2.4
PSMN3R0-30YL
2.19
3
PSMN3R5-30YL
2.43
3.5
PSMN4R0-30YL
2.72
4
PSMN5R0-30YL
3.63
5
PSMN6R0-30YL
4.26
6
PSMN7R0-30YL
4.92
7
PSMN9R0-30YL
6.16
8
PSMN2R6-40YS
40 В
2.17
2.75
PSMN4R0-40YS
3.28
4.18
PSMN8R3-40YS
6.79
8.58
PSMN8R2-80YS
80 В
6.61
8.47
PSMN013-80YS
10
12.84
PSMN026-80YS
21.5
27.54
TO220
PSMN1R6-30PL
30 В
1.4
1.7
PSMN2R0-30PL
1.7
2.1
PSMN4R3-30PL
3.5
4.3
PSMN2R2-40PS
40 В
1.75
2.1
PSMN4R5-40PS
3.9
4.6
PSMN8R0-40PS
6.2
7.6
PSMN4R4-80PS
80 В
3.3
4.1
PSMN5R0-80PS
3.7
4.7
PSMN012-80PS
9
11
PSMN050-80PS
37
46
L = Логический уровень
S = Стандартный уровень
my-ftm.com
Перевод: AlexAAN по заказу РадиоЛоцман
На английском языке: Industry's first sub-1mOhm Power-S08 MOSFET delivers improved performance and efficiency