MOSFET транзисторы Vishay нового поколения имеют сопротивление открытого канала 1 мОм
13.05.2012

Новое семейство транзисторов имеет наименьшее в отрасли сопротивление открытого канала при напряжении затвора 4.5 В

Vishay Intertechnology представила первые приборы нового семейства мощных n-канальных 30-вольтовых MOSFET транзисторов, изготовленных по технологии TrenchFET Gen IV. Созданные на основе топологии кристаллов с повышенной плотностью ячеек, транзисторы SiRA00DP, SiRA02DP, SiRA04DP и SiSA04DN выпускаются в корпусах PowerPAK SO-8 и 1212-8, имеют рекордно низкое среди аналогичных приборов отрасли сопротивление канала 1.35 мОм при напряжении затвора 4.5 В и невысокий заряд Миллера (до 1.8 нКл).

Vishay - SiRA00DP, SiRA02DP, SiRA04DP, SiSA04DN

Воплотившие в себе последние достижения Vishay в технологиях конструирования, изготовления и корпусирования, мощные транзисторы открывают широкие возможности для разработчиков современных силовых электронных устройств. При значительном, по сравнению с приборами предыдущего поколения, сокращении площади активной области кристалла, SiRA00DP демонстрирует экстремально низкое сопротивление RDS(ON) = 1.0 мОм при напряжении затвора 10 В и рекордное для отрасли значение 1.35 мОм при напряжении 4.5 В. Конструкторы теперь получают возможность еще больше снизить потери проводимости, уменьшить рассеиваемую мощность и повысить эффективность устройств.

Новая структура MOSFET приборов TrenchFET Gen IV позволяет размещать транзисторы на кристаллах намного меньшего размера без существенного увеличения заряда затвора, решая, таким образом, проблему, характерную для устройств с большим количеством транзисторных ячеек. Вследствие низкого заряда затвора уменьшается и его произведение на сопротивление канала. Так, например, транзистор SiRA04DP при напряжении 4.5 В имеет комплексный показатель качества всего 56 нКл•Ом.

SiRA00DP, SiRA02DP и SiRA04DP выпускаются в корпусе PowerPAK SO-8 размером 6.15 × 5.15 мм. Приборы SiSA04DN, имея примерно такую же эффективность, выпускаются в корпусе PowerPAK 1212-8 втрое меньшей площади (3.30 × 3.30 мм). Все устройства имеют отношение зарядов QGD/QGS равное 0.5, или меньше, что уменьшает влияние эффекта Миллера.

PowerPAK SO-8 vs SO-8 PowerPAK 1212-8
PowerPAK SO-8
в сравнении с корпусом SO-8
 PowerPAK 1212-8

Конструкция SiRA00DP, SiRA02DP, SiRA04DP и SiSA04DN оптимизирована для использования приборов в составе DC/DC преобразователей с высокой плотностью мощности, в синхронных выпрямителях, синхронных понижающих преобразователях и схемах резервирования питания. Типичный перечень устройств, в которых найдут применение новые транзисторы, включает в себя импульсные источники питания, VRM (модули регулирования напряжения), системы распределенного питания, блоки телекоммуникационного оборудования, персональные компьютеры и серверы.

Приборы TrenchFET Gen IV проходят 100-процентный выходной контроль параметров RG и UIS. По содержанию вредных веществ и галогенов все транзисторы соответствуют предписаниям директив RoHS и IEC 61249-2-21.

Технические характеристики:

Прибор
SiRA00DP
SiRA02DP
SiRA04DP
SiSA04DN
VDS (В)
30
30
30
30
VGS (В)
20
20
20
20
RDS(ON)
(Ом) макс.
VGS = 10 В
0.00100
0.00200
0.00215
0.00215
VGS = 4.5 В
0.00135
0.00270
0.00310
0.00310
QG (нК)
VGS = 4.5 В
66.0
34.3
22.5
22.5
QGS (нК)
26.0
13.6
8.6
8.6
QDS (нК)
8.6
4.1
4.0
4.0
Корпус
PowerPAK SO-8
PowerPAK 1212-8

Транзисторы TrenchFET Gen IV уже выпускаются серийно. Срок поставки промышленных партий – 12 недель, образцы для испытаний предоставляются немедленно.

Подробнее >>

Реклама