На суд потребителей представлены новые 4-х мегабитные модули энергонезависимой памяти
27 октября 2003 г. - Motorola Inc. представила первый образец 4-х мегабитного магниторезисторного чипа памяти. В данное время производятся маркетинговые исследования модулей памяти представленного вида. На этом этапе должна быть подтверждена пригодность для рынка новых модулей MRAM памяти.
MRAM сочетает в себе энергонезависимость наряду с невероятной устойчивостью и малым временем доступа, эта память способна заменить устройства хранения данных во многих приложениях, электронных системах и другой потребительской технике. При этом разработчики выигрывают в плане упрощения системы, уменьшения себестоимости устройства и повышения надежности. Высокая надежность MRAM модулей как нельзя лучше подходит для использования в системах работающих продолжительный период времени или в очень жестких условиях, например, различные электронные системы автомобиля или промышленного оборудования. Изучив все достоинства MRAM, Honeywell лицензировало технологию Motorola MRAM для применения в космических технологиях и для военных нужд.
MRAM планируется применять в высокопроизводительных маломощных устройствах, обладающих высокой надежностью. MRAM так же подойдет и для систем с малым временем записи, практически неограниченным числом циклов чтения/записи, сверхмалыми затратами на операции записи и энергонезависимого хранения данных. В некоторых случаях, использование MRAM приводит к уменьшению числа элементов в системе, что повышает ее надежность и делает ее более конкурентоспособной.
Подробнее о MRAM
Motorola получила несколько патентов на новый способ хранения данных, такие как патент на структуру ячейки данных, патент на программное обеспечение, патент на схемотехнику и др. Новые открытия в сфере магнитных свойств упростили производство MRAM. Три главные проблемы, которые были решены - битовая избирательность, классификация данных и масштабирование. Улучшенная битовая избирательность теперь допускает запись данных в любой области памяти без разрушения ранее сохранных данных. Классификация данных обеспечивает стабильное и долговременное хранение данных. А с помощью масштабирования можно добиться того, что в тот же объем памяти можно сохранить большее число ячеек, что в свою очередь снижает себестоимость.
На суд потребителей представлены новые 4-х мегабитные модули энергонезависимой памяти
27 октября 2003 г. - Motorola Inc. представила первый образец 4-х мегабитного магниторезисторного чипа памяти. В данное время производятся маркетинговые исследования модулей памяти представленного вида. На этом этапе должна быть подтверждена пригодность для рынка новых модулей MRAM памяти.MRAM планируется применять в высокопроизводительных маломощных устройствах, обладающих высокой надежностью. MRAM так же подойдет и для систем с малым временем записи, практически неограниченным числом циклов чтения/записи, сверхмалыми затратами на операции записи и энергонезависимого хранения данных. В некоторых случаях, использование MRAM приводит к уменьшению числа элементов в системе, что повышает ее надежность и делает ее более конкурентоспособной.
Подробнее о MRAM
Motorola получила несколько патентов на новый способ хранения данных, такие как патент на структуру ячейки данных, патент на программное обеспечение, патент на схемотехнику и др. Новые открытия в сфере магнитных свойств упростили производство MRAM. Три главные проблемы, которые были решены - битовая избирательность, классификация данных и масштабирование. Улучшенная битовая избирательность теперь допускает запись данных в любой области памяти без разрушения ранее сохранных данных. Классификация данных обеспечивает стабильное и долговременное хранение данных. А с помощью масштабирования можно добиться того, что в тот же объем памяти можно сохранить большее число ячеек, что в свою очередь снижает себестоимость.