National Semiconductor предлагает прецизионный, микромощный параллельный источник опорного напряжения, стойкий к воздействию радиации
27.12.2010

LM4050QML – прецизионный источник опорного напряжения от National Semiconductor стойкий к воздействию радиации (TID – 100 крад), выпускается в керамическом корпусе SOIC-10. Минимальный выходной ток LM4050QML – 60 мкА, максимальный – 15 мА. Для обеспечения высокой точности 0.1% (при 25 °С) применяется технология подгонки Zener-Zap. Схема получения прецизионного напряжения Bandgap и низкий динамический импеданс обеспечивают высокую точность обратного напряжения пробоя в широком диапазоне температур и рабочих токов. LM4050QML не требует подключения параллельного корректирующего конденсатора при работе на емкостную нагрузку.

National Semiconductor - SOIC-10 ceramic

 Технические характеристики:

  • Фиксированное выходное напряжение: 2.5 В, 3.3 В, 5 В;
  • Начальная точность при токе 100 мкА: 0.1%;
  • Емкость нагрузки: до 100 мкФ;
  • Выходной ток: от 60 мкА до 15 мА;
  • Температурный дрейф: 17 ppm/˚C;
  • Шум: 50 мкВ;
  • Радиационная стойкость: TID – 100 крад, SEL – 120 МэВ·см2/мг;
  • Диапазон рабочих температур: от –55 °С до +125 °С.

National Semiconductor - LM4050QML

Применение:

  • Источники питания;
  • A/D и D/A преобразователи;
  • Прецизионные стабилизаторы;
  • Прецизионное контрольно-измерительное оборудование.
Подробнее >>

Реклама