Участники исследовательского проекта NeuLand – AIXTRON, Infineon Technologies, SiCrystal, SMA Solar Technology опубликовали совместный пресс-релиз
Новые полупроводниковые материалы, возможно, позволят на 50 процентов снизить потери энергии в импульсных источниках питания для ПК, плоских телевизоров, серверов и телекоммуникационных систем, а солнечной инверторы сделать более компактными и экономически эффективными. Компании, участвующие в исследовательском проекте NeuLand, разработали компоненты и электронные схемы с высокой степенью интеграции, которые сделали возможным сокращение потерь энергии на 35 процентов уже на этапе испытаний в рамках исследовательских работ. Проект NeuLand был основан Федеральным министерством образования и научных исследований Германии (BMBF), и имеет бюджет около 4.7 миллионов евро. Возглавляет проект компания Infineon Technologies.
Ключ к двукратному снижению потерь энергии
Ключом к двукратному снижению потерь энергии является использование полупроводниковых материалов карбида кремния (SiC) и нитрида галлия на подложке из кремния (GaN-on-Si), чьи электронные свойства делают возможным создание миниатюрных силовых электронных схем с высоким КПД. В настоящее время Infineon уже использует карбид кремния в своих JFET-транзисторах и диодах, рассчитанных на напряжения от 600 В до 1700 В. Эти силовые полупроводники, главным образом, используются в импульсных источниках питания для ПК или телевизоров и в приводах двигателей. В будущем они также могут занять значительное место в преобразователях солнечной энергии.
Ранее карбид кремния был очень дорогим материалом для изготовления пластин. Благодаря результатам исследований NeuLand выросло количество производителей карбида кремния, а сфера его применения расширилась. Участникам проекта удалось продемонстрировать, что за счет использования компонентов на основе SiC и GaN КПД силовой электроники может быть увеличен более на треть. Инверторы солнечных электростанций, например, выигрывают от существенной экономии материалов, не изменяющей эффективности, но делающей их более экономичными. Однако результаты исследований также показали, что для широкого использования в преобразователях солнечной энергии стоимость компонентов из SiC необходимо снижать и далее, а компоненты на основе GaN требуют дальнейших тщательных исследований в части надежности, срока службы и цены.
Компания AIXTRON была представлена в качестве поставщика оборудования для производства полупроводников, в то время как за выпуск пластин отвечала SiCrystal. Infineon, как изготовитель полупроводников, занималась исследованиями силовых полупроводниковых устройств и разработкой технологических этапов производства компонентов на основе SiC и GaN, а системная экспертиза в области солнечной энергетики была проведена компанией SMA Solar Technology. Проект NeuLand позволил его участникам расширить свой опыт в области перспективных технологий SiC и GaN в обширном производственном сегменте.
NeuLand — это сокращение от немецкого «Инновационные силовые устройства с высокой энергетической и экономической эффективностью, основанные на полупроводниковых соединениях с широкой запрещенной зоной». Рассчитанный на три года исследовательский проект финансировался BMBF.
Участники исследовательского проекта NeuLand – AIXTRON, Infineon Technologies, SiCrystal, SMA Solar Technology опубликовали совместный пресс-релиз
Новые полупроводниковые материалы, возможно, позволят на 50 процентов снизить потери энергии в импульсных источниках питания для ПК, плоских телевизоров, серверов и телекоммуникационных систем, а солнечной инверторы сделать более компактными и экономически эффективными. Компании, участвующие в исследовательском проекте NeuLand, разработали компоненты и электронные схемы с высокой степенью интеграции, которые сделали возможным сокращение потерь энергии на 35 процентов уже на этапе испытаний в рамках исследовательских работ. Проект NeuLand был основан Федеральным министерством образования и научных исследований Германии (BMBF), и имеет бюджет около 4.7 миллионов евро. Возглавляет проект компания Infineon Technologies.
Ключ к двукратному снижению потерь энергии
Ключом к двукратному снижению потерь энергии является использование полупроводниковых материалов карбида кремния (SiC) и нитрида галлия на подложке из кремния (GaN-on-Si), чьи электронные свойства делают возможным создание миниатюрных силовых электронных схем с высоким КПД. В настоящее время Infineon уже использует карбид кремния в своих JFET-транзисторах и диодах, рассчитанных на напряжения от 600 В до 1700 В. Эти силовые полупроводники, главным образом, используются в импульсных источниках питания для ПК или телевизоров и в приводах двигателей. В будущем они также могут занять значительное место в преобразователях солнечной энергии.
Ранее карбид кремния был очень дорогим материалом для изготовления пластин. Благодаря результатам исследований NeuLand выросло количество производителей карбида кремния, а сфера его применения расширилась. Участникам проекта удалось продемонстрировать, что за счет использования компонентов на основе SiC и GaN КПД силовой электроники может быть увеличен более на треть. Инверторы солнечных электростанций, например, выигрывают от существенной экономии материалов, не изменяющей эффективности, но делающей их более экономичными. Однако результаты исследований также показали, что для широкого использования в преобразователях солнечной энергии стоимость компонентов из SiC необходимо снижать и далее, а компоненты на основе GaN требуют дальнейших тщательных исследований в части надежности, срока службы и цены.
Компания AIXTRON была представлена в качестве поставщика оборудования для производства полупроводников, в то время как за выпуск пластин отвечала SiCrystal. Infineon, как изготовитель полупроводников, занималась исследованиями силовых полупроводниковых устройств и разработкой технологических этапов производства компонентов на основе SiC и GaN, а системная экспертиза в области солнечной энергетики была проведена компанией SMA Solar Technology. Проект NeuLand позволил его участникам расширить свой опыт в области перспективных технологий SiC и GaN в обширном производственном сегменте.
NeuLand — это сокращение от немецкого «Инновационные силовые устройства с высокой энергетической и экономической эффективностью, основанные на полупроводниковых соединениях с широкой запрещенной зоной». Рассчитанный на три года исследовательский проект финансировался BMBF.