Проверенный, надежный и масштабируемый технологический процесс, готовый к использованию в массовом производстве
Nexperia объявила о выходе на рынок нитрид-галлиевых (GaN) полевых транзисторов со своим первым высоконадежным 650-вольтовым устройством GAN063-650WSA с напряжением затвор-исток ±20 В и диапазоном рабочих температур от –55 °C до +175 °C. Низкое сопротивление открытого канала нового транзистора – до 60 мОм – и большая скорость переключения обеспечивают очень высокий КПД.
Новый продукт Nexperia нацелен на сегменты высокоэффективных приложений, включая гибридные и электрические транспортные средства, датацентры, оборудование телекоммуникационной инфраструктуры, средства промышленной автоматизации и профессиональные источники питания. Разработанный Nexperia процесс выращивания эпитаксиальных слоев GaN на кремнии отличается высокими уровнями надежности и качества, подтвержденными испытаниями, а также высокой степенью масштабируемости, поскольку пластины можно обрабатывать на существующих предприятиях по производству кремниевых приборов. Более того, это устройство выпускается в стандартном для отрасли корпусе TO-247, что дает потребителям возможность получить преимущества исключительных характеристик GaN, используя прибор в привычном корпусе.
Полевой транзистор GAN063-650WSA является первым в линейке устройств на основе GaN, которые Nexperia создает для удовлетворения нужд автомобильного, телекоммуникационного и промышленных рынков.
GAN063-650WSA
Проверенный, надежный и масштабируемый технологический процесс, готовый к использованию в массовом производстве
Nexperia объявила о выходе на рынок нитрид-галлиевых (GaN) полевых транзисторов со своим первым высоконадежным 650-вольтовым устройством GAN063-650WSA с напряжением затвор-исток ±20 В и диапазоном рабочих температур от –55 °C до +175 °C. Низкое сопротивление открытого канала нового транзистора – до 60 мОм – и большая скорость переключения обеспечивают очень высокий КПД.
Новый продукт Nexperia нацелен на сегменты высокоэффективных приложений, включая гибридные и электрические транспортные средства, датацентры, оборудование телекоммуникационной инфраструктуры, средства промышленной автоматизации и профессиональные источники питания. Разработанный Nexperia процесс выращивания эпитаксиальных слоев GaN на кремнии отличается высокими уровнями надежности и качества, подтвержденными испытаниями, а также высокой степенью масштабируемости, поскольку пластины можно обрабатывать на существующих предприятиях по производству кремниевых приборов. Более того, это устройство выпускается в стандартном для отрасли корпусе TO-247, что дает потребителям возможность получить преимущества исключительных характеристик GaN, используя прибор в привычном корпусе.
Полевой транзистор GAN063-650WSA является первым в линейке устройств на основе GaN, которые Nexperia создает для удовлетворения нужд автомобильного, телекоммуникационного и промышленных рынков.
Перевод: AlexAAN по заказу РадиоЛоцман