При создании флагманского 1800-ваттного транзистора основной акцент делался на простоту использования
NXP Semiconductors анонсировала завершение разработки новой LDMOS (МОП с поверхностной диффузией) технологии создания радиочастотных транзисторов с рабочим напряжением до 65 В. Эта заметная прибавка к напряжению открывает дорогу новому поколению продуктов: транзисторам серии MRFX.
В связи с все более широким использованием радиочастот в различных промышленных приложениях, NXP предоставляет конструкторам мощных радиочастотных устройств средства сокращения цикла разработки:
Бóльшая мощность:
Повышенное рабочее напряжение позволяет увеличить выходную мощность и, сократив количество транзисторов выходного каскада, упростить конструкцию усилителей мощности и уменьшить их размеры.
Меньшее время разработки:
Благодаря более высокому напряжению, можно увеличить выходную мощность, сохранив приемлемый уровень выходного импеданса. Это упрощает 50-омное согласование, особенно в широкополосных приложениях. Простота согласования существенно сокращает время разработки.
Повторное использование конструкции:
Простота согласования и совместимость по выводам с существующими 50-вольтовыми LDMOS транзисторами дают разработчикам радиочастотных устройств возможность повторно использовать существующие печатные платы и, таким образом, дополнительно сократить время выхода на рынок.
Контролируемый уровень тока:
Повышенное напряжение снижает ток системы, ограничивая нагрузку на источники питания и уменьшая магнитные излучения.
Широкий диапазон безопасных режимов:
Пробивное напряжение транзисторов, изготовленных по 65-вольтовой LDMOS технологии NXP, равно 182 В, что повышает надежность и позволяет реализовывать более эффективные конструктивные решения.
Первым в серии MRFX появился MRFX1K80 – самый мощный в отрасли прибор среди всех радиочастотных транзисторов, способных работать в режиме усиления непрерывных колебаний. В приложениях, работающих на частотах от 1 до 470 МГц, устройство отдает непрерывную мощность 1800 Вт при напряжении питания 65 В и выдерживает стоячую волну напряжения при КСВ, достигающем 65:1.
MRFX1K80 ориентирован на использование в промышленных, научных и медицинских приложениях для формирования лазерного излучения, плазменного травления, магниторезонансной визуализации, лечения кожи и диатермии, а также ускорения заряженных частиц и иных научных целей. Кроме того, MRFX1K80 хорошо подходит для вещательных передатчиков радио и телевидения УКВ диапазона. Помимо этого, высокий уровень управляемости, присущий твердотельным приборам, позволит улучшить технические характеристики промышленных нагревательных установок, сварочного оборудования или сушильных агрегатов, в которых до сих пор используются электровакуумные приборы.
Доступность и средства поддержки разработки
В настоящее время мелкими партиями выпускается транзистор MRFX1K80H в керамическом корпусе с воздушной полостью, а начало серийного производства ожидается в августе 2017 года. Доступны также оценочные схемы для приложений диапазонов 27 МГц и 87.5-108 МГц. В ближайшее время NXP представит версию транзистора, опрессованного в пластмассовый корпус (MRFX1K80N). За дополнительной информацией следует обращаться в местные представительства авторизованных дистрибьюторов NXP.
При создании флагманского 1800-ваттного транзистора основной акцент делался на простоту использования
NXP Semiconductors анонсировала завершение разработки новой LDMOS (МОП с поверхностной диффузией) технологии создания радиочастотных транзисторов с рабочим напряжением до 65 В. Эта заметная прибавка к напряжению открывает дорогу новому поколению продуктов: транзисторам серии MRFX.
В связи с все более широким использованием радиочастот в различных промышленных приложениях, NXP предоставляет конструкторам мощных радиочастотных устройств средства сокращения цикла разработки:
Повышенное рабочее напряжение позволяет увеличить выходную мощность и, сократив количество транзисторов выходного каскада, упростить конструкцию усилителей мощности и уменьшить их размеры.
Благодаря более высокому напряжению, можно увеличить выходную мощность, сохранив приемлемый уровень выходного импеданса. Это упрощает 50-омное согласование, особенно в широкополосных приложениях. Простота согласования существенно сокращает время разработки.
Простота согласования и совместимость по выводам с существующими 50-вольтовыми LDMOS транзисторами дают разработчикам радиочастотных устройств возможность повторно использовать существующие печатные платы и, таким образом, дополнительно сократить время выхода на рынок.
Повышенное напряжение снижает ток системы, ограничивая нагрузку на источники питания и уменьшая магнитные излучения.
Пробивное напряжение транзисторов, изготовленных по 65-вольтовой LDMOS технологии NXP, равно 182 В, что повышает надежность и позволяет реализовывать более эффективные конструктивные решения.
Первым в серии MRFX появился MRFX1K80 – самый мощный в отрасли прибор среди всех радиочастотных транзисторов, способных работать в режиме усиления непрерывных колебаний. В приложениях, работающих на частотах от 1 до 470 МГц, устройство отдает непрерывную мощность 1800 Вт при напряжении питания 65 В и выдерживает стоячую волну напряжения при КСВ, достигающем 65:1.
MRFX1K80 ориентирован на использование в промышленных, научных и медицинских приложениях для формирования лазерного излучения, плазменного травления, магниторезонансной визуализации, лечения кожи и диатермии, а также ускорения заряженных частиц и иных научных целей. Кроме того, MRFX1K80 хорошо подходит для вещательных передатчиков радио и телевидения УКВ диапазона. Помимо этого, высокий уровень управляемости, присущий твердотельным приборам, позволит улучшить технические характеристики промышленных нагревательных установок, сварочного оборудования или сушильных агрегатов, в которых до сих пор используются электровакуумные приборы.
Доступность и средства поддержки разработки
В настоящее время мелкими партиями выпускается транзистор MRFX1K80H в керамическом корпусе с воздушной полостью, а начало серийного производства ожидается в августе 2017 года. Доступны также оценочные схемы для приложений диапазонов 27 МГц и 87.5-108 МГц. В ближайшее время NXP представит версию транзистора, опрессованного в пластмассовый корпус (MRFX1K80N). За дополнительной информацией следует обращаться в местные представительства авторизованных дистрибьюторов NXP.