Новейшие малошумящие усилители (МШУ) LTE и счетверенные блоки МШУ компании Infineon призваны сделать смартфоны еще более привлекательными для пользователей за счет повышения скорости обмена данными почти на 96%. Усилители семейств BGA7x1N6 и BGM7xxxx4L с низким коэффициентом шума, точным усилением и высокой линейностью помогут разработчикам обеспечить соответствие требованиям сетей стандарта LTE или 4 G. Эти новые стандарты поддерживают скорость обмена данными до 300 Мбит/с — по сравнению с 56 Мбит/с в последней версии стандарта UMTS (3 G).
Однако усложнение ВЧ тракта приводит к увеличению числа ВЧ компонентов (например, переключателей, диплексеров и делителей) и, как следствие, к возрастанию общих потерь в системе и к ухудшению отношения сигнал/шум (SNR). Удаленность антенны от ВЧ трансивера вызывает дополнительные потери на линии, которые также негативно сказываются на отношении SNR, а значит, на скорости обмена данными.
Новейшие МШУ и блоки МШУ компании Infineon изготавливаются с использованием технологии SiGe:C (кремний-германий-углерод) и имеют встроенную защиту от электростатического разряда 2 кВ (по модели человеческого тела). Они устанавливаются в тракт антенны для разнесенного приема и в тракт основной антенны телефона, что позволяет повысить максимальную скорость обмена данными в смартфонах на 96% по сравнению с решениями без использования МШУ. Высокая линейность гарантирует оптимальный прием сигнала, даже если антенна плохо изолирована и имеются высокие потери на линии между антенной и трансивером. Эти приборы демонстрируют повышение чувствительности на 3.4 дБ (тип.) по сравнению с системами без МШУ, при том, что по сравнению с предыдущим поколением размеры корпуса МШУ (1.1×0.7 мм) сокращены на 70% , а блоков МШУ (1.9×1.1 мм) — на 61%. Кроме того, приборы экранированы для предотвращения паразитных помех и требуют использования лишь одного внешнего компонента на каждый МШУ.
Имеется три семейства МШУ для LTE и семь семейств счетверенных модулей МШУ с учетом региональных особенностей использования частотного спектра. Диапазоны частот в названии серии обозначены различными буквами: L — низкий (от 0.7 до 1 ГГц); M — средний (от 1.7 до 2.2 ГГц); H — высокий (от 2.3 до 2.7 ГГц).
Приборы поставляются в пластиковых корпусах TSNP-6-2 и TSLP 12-4, соответствующих требованиям директивы RoHS.
Особенности
Высокая линейность
Лучший в своем классе коэффициент шума
Низкий ток потребления
Напряжение питания: от 1.5 до 3.3 В
Сверхминиатюрные размеры
Одиночные МШУ: не содержащий свинца корпус TSNP-6-2 (размеры: 1.1 × 0.7 мм)
Блоки по четыре МШУ: не содержащий свинца корпус TSLP-12-4 (размеры: 1.1 × 1.9 мм)
B7HF — технология SiGe:C (кремний-германий-углерод)
ВЧ выход внутренне согласован на 50 Ом
Малое количество внешних компонентов
Защита от электростатического разряда 2 кВ (по модели человеческого тела)
Корпус, не содержащий свинца (в соответствии с требованиями директивы RoHS)
Новейшие малошумящие усилители (МШУ) LTE и счетверенные блоки МШУ компании Infineon призваны сделать смартфоны еще более привлекательными для пользователей за счет повышения скорости обмена данными почти на 96%. Усилители семейств BGA7x1N6 и BGM7xxxx4L с низким коэффициентом шума, точным усилением и высокой линейностью помогут разработчикам обеспечить соответствие требованиям сетей стандарта LTE или 4 G. Эти новые стандарты поддерживают скорость обмена данными до 300 Мбит/с — по сравнению с 56 Мбит/с в последней версии стандарта UMTS (3 G).
Однако усложнение ВЧ тракта приводит к увеличению числа ВЧ компонентов (например, переключателей, диплексеров и делителей) и, как следствие, к возрастанию общих потерь в системе и к ухудшению отношения сигнал/шум (SNR). Удаленность антенны от ВЧ трансивера вызывает дополнительные потери на линии, которые также негативно сказываются на отношении SNR, а значит, на скорости обмена данными.
Новейшие МШУ и блоки МШУ компании Infineon изготавливаются с использованием технологии SiGe:C (кремний-германий-углерод) и имеют встроенную защиту от электростатического разряда 2 кВ (по модели человеческого тела). Они устанавливаются в тракт антенны для разнесенного приема и в тракт основной антенны телефона, что позволяет повысить максимальную скорость обмена данными в смартфонах на 96% по сравнению с решениями без использования МШУ. Высокая линейность гарантирует оптимальный прием сигнала, даже если антенна плохо изолирована и имеются высокие потери на линии между антенной и трансивером. Эти приборы демонстрируют повышение чувствительности на 3.4 дБ (тип.) по сравнению с системами без МШУ, при том, что по сравнению с предыдущим поколением размеры корпуса МШУ (1.1×0.7 мм) сокращены на 70% , а блоков МШУ (1.9×1.1 мм) — на 61%. Кроме того, приборы экранированы для предотвращения паразитных помех и требуют использования лишь одного внешнего компонента на каждый МШУ.
Имеется три семейства МШУ для LTE и семь семейств счетверенных модулей МШУ с учетом региональных особенностей использования частотного спектра. Диапазоны частот в названии серии обозначены различными буквами: L — низкий (от 0.7 до 1 ГГц); M — средний (от 1.7 до 2.2 ГГц); H — высокий (от 2.3 до 2.7 ГГц).
Приборы поставляются в пластиковых корпусах TSNP-6-2 и TSLP 12-4, соответствующих требованиям директивы RoHS.
Особенности
Применение
infineon-designlink.com