Компания Vishay Intertechnology представила новые n- и р-канальные силовые TrenchFET MOSFET с напряжением стока 8 и 20 вольт и самым низким в отрасли сопротивлением в открытом состоянии. Устройства выполнены в корпусах MICRO FOOT с размерами 1 × 1 × 0.55 мм и 1.6 × 1.6 × 0.6 мм.
Приборы предназначены для подключения батарей или нагрузки в системах управления питанием такой портативной электроники, как смартфоны и мобильные компьютеры. Компактные размеры и сверхтонкий профиль этих MOSFET позволят создавать еще более тонкие и легкие устройства, а их низкое сопротивление в открытом состоянии сокращает потери мощности и продляет время автономной работы до подзарядки. Низкое сопротивление в открытом состоянии также означает меньшее падение напряжения на ключах коммутации питания, что предотвращает нежелательную блокировку при разряде батарей.
Для приложений, где низкое сопротивление в открытом состоянии является более приоритетным, чем экономия пространства, n-канальный Si8424CDB с напряжением стока 8 В и р-канальный Si8425DB с напряжением 20 В обеспечивают максимальное сопротивление в открытом состоянии 20 мОм и 23 мОм, соответственно, при управляющем напряжении затвора 4.5 В. Устройства предлагаются в корпусах CSP с размерами 1.6 × 1.6 × 0.6 мм. Для устройств, где минимальная площадь на плате является более важным параметром, чем сопротивление, может использоваться 8-вольтовый n-канальный MOSFET типа Si8466EDB с максимальным сопротивлением в открытом состоянии 43 мОм при напряжении затвора 4.5 В. размер корпуса этого транзистора всего 1 × 1 × 0.55 мм. Si8466EDB устойчив к электростатическим разрядам с напряжением до 3000 В.
Значения сопротивлений в открытом состоянии, специфицированные для напряжений затвора от 1.2 В, позволяют использовать Si8466EDB и Si8424CDB с более низковольтными драйверами затворов и с меньшими напряжениями на шинах питания, распространенными в портативных устройствах, позволяя сократить объем и стоимость цепей смещения уровня. Все устройства соотвествуют требованиям директивы RoHS 2011/65/EU и не содержат галогенов в соответствии с определением JEDEC JS709A.
Компания Vishay Intertechnology представила новые n- и р-канальные силовые TrenchFET MOSFET с напряжением стока 8 и 20 вольт и самым низким в отрасли сопротивлением в открытом состоянии. Устройства выполнены в корпусах MICRO FOOT с размерами 1 × 1 × 0.55 мм и 1.6 × 1.6 × 0.6 мм.
Приборы предназначены для подключения батарей или нагрузки в системах управления питанием такой портативной электроники, как смартфоны и мобильные компьютеры. Компактные размеры и сверхтонкий профиль этих MOSFET позволят создавать еще более тонкие и легкие устройства, а их низкое сопротивление в открытом состоянии сокращает потери мощности и продляет время автономной работы до подзарядки. Низкое сопротивление в открытом состоянии также означает меньшее падение напряжения на ключах коммутации питания, что предотвращает нежелательную блокировку при разряде батарей.
Для приложений, где низкое сопротивление в открытом состоянии является более приоритетным, чем экономия пространства, n-канальный Si8424CDB с напряжением стока 8 В и р-канальный Si8425DB с напряжением 20 В обеспечивают максимальное сопротивление в открытом состоянии 20 мОм и 23 мОм, соответственно, при управляющем напряжении затвора 4.5 В. Устройства предлагаются в корпусах CSP с размерами 1.6 × 1.6 × 0.6 мм. Для устройств, где минимальная площадь на плате является более важным параметром, чем сопротивление, может использоваться 8-вольтовый n-канальный MOSFET типа Si8466EDB с максимальным сопротивлением в открытом состоянии 43 мОм при напряжении затвора 4.5 В. размер корпуса этого транзистора всего 1 × 1 × 0.55 мм. Si8466EDB устойчив к электростатическим разрядам с напряжением до 3000 В.
Значения сопротивлений в открытом состоянии, специфицированные для напряжений затвора от 1.2 В, позволяют использовать Si8466EDB и Si8424CDB с более низковольтными драйверами затворов и с меньшими напряжениями на шинах питания, распространенными в портативных устройствах, позволяя сократить объем и стоимость цепей смещения уровня. Все устройства соотвествуют требованиям директивы RoHS 2011/65/EU и не содержат галогенов в соответствии с определением JEDEC JS709A.
Технические характеристики устройств:
Отдельные образцы и партии новых мощных TrenchFET MOSFET доступны уже сегодня, при сроках поставки от 12 до 14 недель для крупных заказов.