Использование высококачественных FlipChip MOSFET улучшает характеристики схем защиты одиночных или сдвоенных литий-ионных аккумуляторов от перенапряжения и глубокого разряда
ON Semiconductor представила два новых MOSFET прибора, предназначенных для использования в смартфонах и планшетных компьютерах, где они играют основную роль в цепях коммутации схем защиты литий-ионных (Li-ion) аккумуляторов от перенапряжения и глубокого разряда. Мощные MOSFET EFC6601R и EFC6602R позволят разработчикам уменьшить габариты решений, увеличить КПД и продлить время работы от батареи.
Созданные для устройств с питанием от одно- или двухэлементных литий-ионных батарей, новые транзисторы отвечают требованиям директивы RoHS, имеют сопротивление открытого канала на уровне лидеров отрасли и реализованы в виде структуры с матрицей контактных площадок (LGA), позволившей привести их габариты в идеальное соответствие с требованиями, диктуемыми ограниченным внутренним пространством смартфонов и планшетных ПК. Максимальное напряжение исток-исток для EFC6601R составляет 24 В, а для EFC6602R – 12 В. Оба прибора работают при напряжении питания 2.5 В, имеют объединенные стоки и содержат встроенные защитные диоды.
Габаритные размеры корпуса
В течение 2013 года ON Semiconductor планирует расширить семейство MOSFET EFC еще пятью приборами, которые помогут разработчикам широкого спектра мобильных устройств уменьшить размеры своих конструкций и продлить время работы батарей.
Схема внутренних соединений
Конструктивное исполнение и цены
EFC6601R и EFC6602R предлагаются в не содержащих галогенов корпусах EFCP по цене $0.80 и $1.00 за штуку, соответственно, при покупке от 5000 приборов.
Использование высококачественных FlipChip MOSFET улучшает характеристики схем защиты одиночных или сдвоенных литий-ионных аккумуляторов от перенапряжения и глубокого разряда
ON Semiconductor представила два новых MOSFET прибора, предназначенных для использования в смартфонах и планшетных компьютерах, где они играют основную роль в цепях коммутации схем защиты литий-ионных (Li-ion) аккумуляторов от перенапряжения и глубокого разряда. Мощные MOSFET EFC6601R и EFC6602R позволят разработчикам уменьшить габариты решений, увеличить КПД и продлить время работы от батареи.
Созданные для устройств с питанием от одно- или двухэлементных литий-ионных батарей, новые транзисторы отвечают требованиям директивы RoHS, имеют сопротивление открытого канала на уровне лидеров отрасли и реализованы в виде структуры с матрицей контактных площадок (LGA), позволившей привести их габариты в идеальное соответствие с требованиями, диктуемыми ограниченным внутренним пространством смартфонов и планшетных ПК. Максимальное напряжение исток-исток для EFC6601R составляет 24 В, а для EFC6602R – 12 В. Оба прибора работают при напряжении питания 2.5 В, имеют объединенные стоки и содержат встроенные защитные диоды.
В течение 2013 года ON Semiconductor планирует расширить семейство MOSFET EFC еще пятью приборами, которые помогут разработчикам широкого спектра мобильных устройств уменьшить размеры своих конструкций и продлить время работы батарей.
Конструктивное исполнение и цены
EFC6601R и EFC6602R предлагаются в не содержащих галогенов корпусах EFCP по цене $0.80 и $1.00 за штуку, соответственно, при покупке от 5000 приборов.