Vishay объявила о выпуске новой серии 600- и 650-вольтовых n-канальных MOSFET транзисторов с ультранизким максимальным сопротивлением открытого канала, лежащем в диапазоне от 64 до 190 мОм при напряжении на затворе10 В. Допустимые выходные токи, в зависимости от типа транзистора, равны 22…47 А. Созданные на основе технологии Vishay следующего поколения Super Junction, MOSFET транзисторы E серии отличаются ультранизким зарядом затвора и, соответственно, малыми временами включения, что является основными показателями качества MOSFET транзисторов, используемых в преобразователях энергии.
Благодаря новой технологии, сопротивление транзисторов серии E в открытом состоянии уменьшено на 30%, по сравнению с предыдущим поколением устройств серии S. В зависимости от приложения, эти устройства способны обеспечить более высокую плотность мощности и достигать новых уровней эффективности. Потери управления затвором уменьшены, благодаря низким входным емкостям новых устройств.
12 новых транзисторов серии E включают четыре 22-амперных прибора и четыре 30-амперных с сопротивлениями в открытом состоянии 190 и 125 мОм (при 10 В), соответственно. 22 и 30-амперные транзисторы выпускаются в корпусах TO-220, TO-220 FullPAK, TO-247 и TO-263 (D2PAK). Кроме того, один 47-амперный прибор с сопротивлением в открытом состоянии 150 мОм выпускается в корпусах TO-220, TO-263 (D2PAK) и TO-247.
Ультранизкое сопротивление в открытом состоянии транзисторов Е серии транслируется в экстремально низкие потери проводимости и переключения, позволяющие экономить энергию в мощных, высококачественных ключевых приложениях, включая корректоры коэффициента мощности, энергосистемы серверов и телекоммуникационных систем, сварочное оборудование, устройства плазменной резки, зарядные устройства, газоразрядные лампы высокой интенсивности, балласты флуоресцентных ламп, оборудование полупроводниковых производств, инверторы для солнечных батарей и индукционные печи.
Vishay объявила о выпуске новой серии 600- и 650-вольтовых n-канальных MOSFET транзисторов с ультранизким максимальным сопротивлением открытого канала, лежащем в диапазоне от 64 до 190 мОм при напряжении на затворе10 В. Допустимые выходные токи, в зависимости от типа транзистора, равны 22…47 А. Созданные на основе технологии Vishay следующего поколения Super Junction, MOSFET транзисторы E серии отличаются ультранизким зарядом затвора и, соответственно, малыми временами включения, что является основными показателями качества MOSFET транзисторов, используемых в преобразователях энергии.
Благодаря новой технологии, сопротивление транзисторов серии E в открытом состоянии уменьшено на 30%, по сравнению с предыдущим поколением устройств серии S. В зависимости от приложения, эти устройства способны обеспечить более высокую плотность мощности и достигать новых уровней эффективности. Потери управления затвором уменьшены, благодаря низким входным емкостям новых устройств.
12 новых транзисторов серии E включают четыре 22-амперных прибора и четыре 30-амперных с сопротивлениями в открытом состоянии 190 и 125 мОм (при 10 В), соответственно. 22 и 30-амперные транзисторы выпускаются в корпусах TO-220, TO-220 FullPAK, TO-247 и TO-263 (D2PAK). Кроме того, один 47-амперный прибор с сопротивлением в открытом состоянии 150 мОм выпускается в корпусах TO-220, TO-263 (D2PAK) и TO-247.
Ультранизкое сопротивление в открытом состоянии транзисторов Е серии транслируется в экстремально низкие потери проводимости и переключения, позволяющие экономить энергию в мощных, высококачественных ключевых приложениях, включая корректоры коэффициента мощности, энергосистемы серверов и телекоммуникационных систем, сварочное оборудование, устройства плазменной резки, зарядные устройства, газоразрядные лампы высокой интенсивности, балласты флуоресцентных ламп, оборудование полупроводниковых производств, инверторы для солнечных батарей и индукционные печи.
Транзисторы удовлетворяют требованиям директивы RoHS 2002/95/EC.
Инженерные образцы новых мощных MOSFET транзисторов уже доступны. Время выполнения заказа от 16 до 17 недель.
Перевод: TenzoR по заказу РадиоЛоцман
На английском языке: New Vishay 600 V and 650 V N-Channel Power MOSFETs Feature Currents From 22 A to 47 A and Ultra-Low Maximum On-Resistance Down to 64 mΩ