Новое устройство в усовершенствованном корпусе S06 с напряжением изоляции 3.75 кВ отдает пиковый выходной ток до ±2.5 А
Toshiba Electronics Europe анонсировала оптоизолятор, который позволит снизить занимаемое на плате пространство и энергопотребление в конструкциях с IGBT и MOSFET, использующих гальваническую развязку. Области применения включают оборудование промышленной автоматизации, электроприводы, цифровую бытовую технику и микроинверторы для солнечной энергетики.
Драйвер затвора TLP152 предназначен для непосредственного управления IGBT и силовыми MOSFET без использования дополнительных компонентов. Миниатюрный корпус S06 на 50% сокращает занимаемую на плате площадь, в сравнении с широко используемыми корпусами типа SDIP. Кроме того, за счет уменьшенного до 10 В минимального напряжения питания новый оптрон снижает потребление мощности.
Усовершенствованный корпус SO6 обеспечивает минимальное напряжение изоляции 3750 В с.к.з. и совместим с требованиями, предъявляемыми международными стандартами безопасности к устройствам с усиленной изоляцией. Гарантированная минимальная длина пути утечки по корпусу и между выводами составляет 5 мм, а толщина внутреннего изолятора – 0.4 мм. Внутренний шумоизолирующий экран гарантирует устойчивость к переходным процессам со скоростью нарастания до ±20 кВ/мкс.
Широкий диапазон входных напряжений от 10 В до 30 В упрощает требования к схеме дополнительного источника питания. Ток потребления TLP152 не превышает 3 мА. Двухтактный выходной каскад способен отдавать максимальный пиковый ток ±2.5 A.
Разработанный для использования в быстродействующих устройствах, оптоизолятор TLP152 имеет максимальное время задержки распространения 200 нс. Конструкция прибора основана на инфракрасном GaAlAs светодиоде, оптически связанном с интегрированным высокочувствительным быстродействующим ИК фотоприемником. Корпус S06 имеет размеры 7.0 × 3.7 × 2.1 мм, гарантированный диапазон рабочих температур от –40 °С до +100 °C.
Новое устройство в усовершенствованном корпусе S06 с напряжением изоляции 3.75 кВ отдает пиковый выходной ток до ±2.5 А
Toshiba Electronics Europe анонсировала оптоизолятор, который позволит снизить занимаемое на плате пространство и энергопотребление в конструкциях с IGBT и MOSFET, использующих гальваническую развязку. Области применения включают оборудование промышленной автоматизации, электроприводы, цифровую бытовую технику и микроинверторы для солнечной энергетики.
Драйвер затвора TLP152 предназначен для непосредственного управления IGBT и силовыми MOSFET без использования дополнительных компонентов. Миниатюрный корпус S06 на 50% сокращает занимаемую на плате площадь, в сравнении с широко используемыми корпусами типа SDIP. Кроме того, за счет уменьшенного до 10 В минимального напряжения питания новый оптрон снижает потребление мощности.
Усовершенствованный корпус SO6 обеспечивает минимальное напряжение изоляции 3750 В с.к.з. и совместим с требованиями, предъявляемыми международными стандартами безопасности к устройствам с усиленной изоляцией. Гарантированная минимальная длина пути утечки по корпусу и между выводами составляет 5 мм, а толщина внутреннего изолятора – 0.4 мм. Внутренний шумоизолирующий экран гарантирует устойчивость к переходным процессам со скоростью нарастания до ±20 кВ/мкс.
Широкий диапазон входных напряжений от 10 В до 30 В упрощает требования к схеме дополнительного источника питания. Ток потребления TLP152 не превышает 3 мА. Двухтактный выходной каскад способен отдавать максимальный пиковый ток ±2.5 A.
Разработанный для использования в быстродействующих устройствах, оптоизолятор TLP152 имеет максимальное время задержки распространения 200 нс. Конструкция прибора основана на инфракрасном GaAlAs светодиоде, оптически связанном с интегрированным высокочувствительным быстродействующим ИК фотоприемником. Корпус S06 имеет размеры 7.0 × 3.7 × 2.1 мм, гарантированный диапазон рабочих температур от –40 °С до +100 °C.