NXP объявила о выпуске первых транзисторов с низким напряжением насыщения в новых корпусах DFN2020D-3 (SOT1061D), предназначенных для пайки к торцевым поверхностям контактов. Допустимое напряжение коллектор-эмиттер обоих транзисторов PBSS4330PAS и PBSS5330PAS равно 30 В, а напряжение насыщения в определенных режимах нормируется на уровне 45 мВ. Помимо большого допустимого тока 3 А и высокого коэффициента усиления тока базы, даже при больших токах достигающего 500, транзисторы отличаются улучшенными характеристиками паяемости.
Новые транзисторы стали первыми из приборов NXP с низким напряжения насыщения, выпускающимися в небольших безвыводных пластиковых корпусах DFN2020D-3 (SOT1061D), пригодных для автоматизированного оптического контроля (AOI) качества паяных соединений, особенно востребованного в автомобильной промышленности. Приборы удовлетворяют требования стандарта AEC-Q101, регламентирующего параметры устройств для систем автоэлектроники, и сохраняют гарантированные характеристики при рабочих температурах до 175 °C.
Портфель пригодных для AOI транзисторов в корпусах DFN2020D-3 будет расширен в конце года за счет включения в него приборов средней мощности с низким напряжением насыщения, а несколько позднее к нему добавятся транзисторы с напряжениями коллектор-эмиттер до 100 В.
Особенности и преимущества
Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Большой постоянный и импульсный ток коллектора
Высокий коэффициент передачи тока при больших токах коллектора
Высокая эффективность, обусловленная малым тепловыделением
Рабочая температура перехода до 175 °C
Меньшая площадь, занимаемая на печатной плате
Миниатюрный безвыводной пластиковый корпус DFN2020D-3 для поверхностного монтажа с контактами для пайки к торцевым поверхностям
Вскрытое теплоотводящее основание для улучшения тепло- и электропроводности
Пригодны для автоматизированного оптического контроля качества паяных соединений
Соответствуют требованиям стандарта AEC-Q101
Основные области применения
Коммутаторы нагрузки
Устройства с батарейным питанием
Устройства управления питанием
Зарядные устройства
Силовые ключи схем управления моторами и вентиляторами
NXP объявила о выпуске первых транзисторов с низким напряжением насыщения в новых корпусах DFN2020D-3 (SOT1061D), предназначенных для пайки к торцевым поверхностям контактов. Допустимое напряжение коллектор-эмиттер обоих транзисторов PBSS4330PAS и PBSS5330PAS равно 30 В, а напряжение насыщения в определенных режимах нормируется на уровне 45 мВ. Помимо большого допустимого тока 3 А и высокого коэффициента усиления тока базы, даже при больших токах достигающего 500, транзисторы отличаются улучшенными характеристиками паяемости.
Новые транзисторы стали первыми из приборов NXP с низким напряжения насыщения, выпускающимися в небольших безвыводных пластиковых корпусах DFN2020D-3 (SOT1061D), пригодных для автоматизированного оптического контроля (AOI) качества паяных соединений, особенно востребованного в автомобильной промышленности. Приборы удовлетворяют требования стандарта AEC-Q101, регламентирующего параметры устройств для систем автоэлектроники, и сохраняют гарантированные характеристики при рабочих температурах до 175 °C.
Портфель пригодных для AOI транзисторов в корпусах DFN2020D-3 будет расширен в конце года за счет включения в него приборов средней мощности с низким напряжением насыщения, а несколько позднее к нему добавятся транзисторы с напряжениями коллектор-эмиттер до 100 В.
Особенности и преимущества
Основные области применения