Новейшие интегральные решения обеспечивают эффективное ограничение втекающего/вытекающего тока и функции дистанционного измерения в смартфонах, а также в потребительских, вычислительных и автомобильных приложениях
Продолжая расширять свое семейство линейных LDO стабилизаторов напряжения, ON Semiconductor представила серию новых высокоэффективных устройств для поддержки памяти с удвоенной скоростью передачи данных (DDR). Микросхемы NCP51200, NCP51400, NCP51510 и NCP51199 с встроенными силовыми MOSFET предназначены для разнообразного оборудования, такого как серверы, роутеры, смартфоны, планшеты, телевизионные приставки, принтеры, а также материнские платы ПК и ноутбуков. Доступны также отвечающие требованиям стандарта AEC−Q100 версии для устройств автоэлектроники, которые могут использоваться во встроенных GPS-навигаторах, информационно-развлекательных системах и в средствах коммуникации, основанных на Wi-Fi и Bluetooth.
Новые высококачественные LDO стабилизаторы предназначены для питания оконечных нагрузок шин стандартов DDR1, DDR2, DDR3, LPDDR3, DDR4 и LPDDR4 напряжением от 500 мВ. При использовании с памятью типов DDR4 и LPDDR4 каждый прибор может служить активным источником втекающего или вытекающего тока до 2.0 А. Микросхема NCP51145 рассчитана на шины памяти DDR4 и LPDDR4 и токи до 1.2 А. Максимальный втекающий и вытекающий ток микросхем NCP/NCV51199 при работе с памятью DDR2 и DDR3 равен 2.0 А и 1.5 А, соответственно, в то время как NCP51200 и NCP51510 рассчитаны на пиковые значения 3 А и поддерживают удаленное измерение токов. В эти предназначенные для согласования шин DDR высокоинтегрированные LDO заложены также функции мягкого запуска, защитного отключения при перегреве кристалла и, для некоторых устройств, механизмы блокировки при пониженном напряжении. В каждом приборе содержится быстродействующий операционный усилитель, со сверхмалым временем реакции на скачки входного напряжения и тока нагрузки. Совместимость всех перечисленных устройств с памятью DDR1 и DDR2 обеспечивает удобство модернизации более старых модулей DDR. Стандартный диапазон рабочих температур микросхем составляет –40 °C … +125 °C, а для схем автомобильной электроники предлагается прибор с температурным диапазоном, расширенным до +150 °C.
Корпуса и цены
15 микросхем семейства NCP51xxx поставляются в корпусах трех типов: 8-выводном SOIC-EP, 8-выводном DFN размером 2×2 мм и 10-выводном DFN с размерами 3×3 мм. Цены на новые приборы находятся в диапазоне от $0.07 до $0.195 за штуку при объеме заказа не менее 3000 микросхем.
Новейшие интегральные решения обеспечивают эффективное ограничение втекающего/вытекающего тока и функции дистанционного измерения в смартфонах, а также в потребительских, вычислительных и автомобильных приложениях
Продолжая расширять свое семейство линейных LDO стабилизаторов напряжения, ON Semiconductor представила серию новых высокоэффективных устройств для поддержки памяти с удвоенной скоростью передачи данных (DDR). Микросхемы NCP51200, NCP51400, NCP51510 и NCP51199 с встроенными силовыми MOSFET предназначены для разнообразного оборудования, такого как серверы, роутеры, смартфоны, планшеты, телевизионные приставки, принтеры, а также материнские платы ПК и ноутбуков. Доступны также отвечающие требованиям стандарта AEC−Q100 версии для устройств автоэлектроники, которые могут использоваться во встроенных GPS-навигаторах, информационно-развлекательных системах и в средствах коммуникации, основанных на Wi-Fi и Bluetooth.
Новые высококачественные LDO стабилизаторы предназначены для питания оконечных нагрузок шин стандартов DDR1, DDR2, DDR3, LPDDR3, DDR4 и LPDDR4 напряжением от 500 мВ. При использовании с памятью типов DDR4 и LPDDR4 каждый прибор может служить активным источником втекающего или вытекающего тока до 2.0 А. Микросхема NCP51145 рассчитана на шины памяти DDR4 и LPDDR4 и токи до 1.2 А. Максимальный втекающий и вытекающий ток микросхем NCP/NCV51199 при работе с памятью DDR2 и DDR3 равен 2.0 А и 1.5 А, соответственно, в то время как NCP51200 и NCP51510 рассчитаны на пиковые значения 3 А и поддерживают удаленное измерение токов. В эти предназначенные для согласования шин DDR высокоинтегрированные LDO заложены также функции мягкого запуска, защитного отключения при перегреве кристалла и, для некоторых устройств, механизмы блокировки при пониженном напряжении. В каждом приборе содержится быстродействующий операционный усилитель, со сверхмалым временем реакции на скачки входного напряжения и тока нагрузки. Совместимость всех перечисленных устройств с памятью DDR1 и DDR2 обеспечивает удобство модернизации более старых модулей DDR. Стандартный диапазон рабочих температур микросхем составляет –40 °C … +125 °C, а для схем автомобильной электроники предлагается прибор с температурным диапазоном, расширенным до +150 °C.
Корпуса и цены
15 микросхем семейства NCP51xxx поставляются в корпусах трех типов: 8-выводном SOIC-EP, 8-выводном DFN размером 2×2 мм и 10-выводном DFN с размерами 3×3 мм. Цены на новые приборы находятся в диапазоне от $0.07 до $0.195 за штуку при объеме заказа не менее 3000 микросхем.