Устанавливают новые стандарты эффективности для переключающих систем большой мощности
ON Semiconductor представила новую серию биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT), изготовленных по запатентованной компанией технологии Ultra Field Stop с щелевой структурой. Транзисторы NGTB40N120FL3WG, NGTB25N120FL3WG и NGTB40N120L3WG с повышенным уровнем эксплуатационных характеристик разработаны в соответствии со строгими требованиями современных коммутационных приложений. По уровню полных потерь переключения эти 1200-вольтовые устройства могут стать лидерами отрасли. Столь замечательное улучшение характеристик отчасти объясняется очень широким высокоактивированным слоем Field-Stop и оптимизацией параметров встроенного диода.
Типовое значение общих потерь переключения равно 2.7 мДж для транзисторов NGTB40N120FL3WG и 1.7 мДж для NGTB25N120FL3WG. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер обоих приборов при соответствующих номинальных токах составляет 1.7 В. NGTB40N120L3WG оптимизирован для снижения потерь проводимости, и при номинальном токе имеет напряжение насыщения, сниженное до 1.55 В и общие потери переключения 3 мДж. Новые приборы Ultra Field Stop имеют встроенные быстровосстанавливающиеся диоды с мягкими характеристиками выключения при минимальных потерях обратного восстановления. NGTB25N120FL3WG и NGTB40N120FL3WG прекрасно подходят для использования в источниках бесперебойного питания и солнечных инверторах, в то время как NGTB40N120L3WG в основном предназначены для драйверов электромоторов.
«Помимо оптимизированных диодов с малым временем восстановления в новых Ultra Field Stop IGBT нам удалось найти золотую середину между напряжением насыщения и энергией переключения, что снизило коммутационные потери и увеличило КПД мощности силовых приложений в широком диапазоне рабочих частот. В то же время эксплуатационная надежность и рентабельность остались на уровне требований, предъявляемых разработчиками к IGBT приборам», – утверждает Асиф Джеквани (Asif Jakwani), старший директор и генеральный менеджер подразделения дискретных силовых приборов компании ON Semiconductor.
Корпуса и цены
NGTB40N120FL3WG, NGTB25N120FL3WG и NGTB40N120L3WG поставляются в корпусах TO-247, отвечающих требованиям директивы RoHS, и в партиях из 10,000 приборов продаются по цене, соответственно, $2.02, $1.76 и $2.12 за штуку.
Устанавливают новые стандарты эффективности для переключающих систем большой мощности
ON Semiconductor представила новую серию биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT), изготовленных по запатентованной компанией технологии Ultra Field Stop с щелевой структурой. Транзисторы NGTB40N120FL3WG, NGTB25N120FL3WG и NGTB40N120L3WG с повышенным уровнем эксплуатационных характеристик разработаны в соответствии со строгими требованиями современных коммутационных приложений. По уровню полных потерь переключения эти 1200-вольтовые устройства могут стать лидерами отрасли. Столь замечательное улучшение характеристик отчасти объясняется очень широким высокоактивированным слоем Field-Stop и оптимизацией параметров встроенного диода.
Типовое значение общих потерь переключения равно 2.7 мДж для транзисторов NGTB40N120FL3WG и 1.7 мДж для NGTB25N120FL3WG. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер обоих приборов при соответствующих номинальных токах составляет 1.7 В. NGTB40N120L3WG оптимизирован для снижения потерь проводимости, и при номинальном токе имеет напряжение насыщения, сниженное до 1.55 В и общие потери переключения 3 мДж. Новые приборы Ultra Field Stop имеют встроенные быстровосстанавливающиеся диоды с мягкими характеристиками выключения при минимальных потерях обратного восстановления. NGTB25N120FL3WG и NGTB40N120FL3WG прекрасно подходят для использования в источниках бесперебойного питания и солнечных инверторах, в то время как NGTB40N120L3WG в основном предназначены для драйверов электромоторов.
«Помимо оптимизированных диодов с малым временем восстановления в новых Ultra Field Stop IGBT нам удалось найти золотую середину между напряжением насыщения и энергией переключения, что снизило коммутационные потери и увеличило КПД мощности силовых приложений в широком диапазоне рабочих частот. В то же время эксплуатационная надежность и рентабельность остались на уровне требований, предъявляемых разработчиками к IGBT приборам», – утверждает Асиф Джеквани (Asif Jakwani), старший директор и генеральный менеджер подразделения дискретных силовых приборов компании ON Semiconductor.
Корпуса и цены
NGTB40N120FL3WG, NGTB25N120FL3WG и NGTB40N120L3WG поставляются в корпусах TO-247, отвечающих требованиям директивы RoHS, и в партиях из 10,000 приборов продаются по цене, соответственно, $2.02, $1.76 и $2.12 за штуку.