April 24, 2003 Fairchild Semiconductor International (NYSE: FCS) Анонсировала выпуск транзистора MOSFET FDS7066SN3, впервые сочетающего в себе корпус FLMP (Flip Leaded Molded Package, разработки фирмы Fairchild) и технологию SyncFET. Это позволяет резко увеличить эффективность устройства и понижает общую стоимость разработки повышающих синхронных преобразователей постоянного напряжения. Когда в MOSFET структуру интегрирован диод Шоттки (технология SyncFET), эффективность управления током остается той же, что и при отдельном диоде Шотки, помещенном в тот же корпус. Однако эта интеграция дает порядка 50% выигрыша в объеме и и упрощает технологический процесс изготовления (выигрыш в стоимости и времени производства). Добавление корпуса FLMP SO-8 (разработка фирмы Fairchild) делает этот выиграш еще более ощутимым. В результате устойство имеет превосходные тепловые характеристики (нагревание составляет 0.5 градуса Цельсия на один ватт) и низкое сопротивление сток-исток при открытом канале (порядка 4.5 мОм при напряжении затвор-исток - 10В). Таким образом, этот N-канальный MOSFET транзистор является идеальным выбором при конструировании первичных каскадов повышающих синхронных преобразователей постоянного напряжения.
Согласно технологическому процессу, запатентованному компанией Fairchild, титановый диод Шоттки внедряется в структуру PowerTrench® MOSFET. Это позволяет подогнать параметры диода Шоттки под параметры MOSFET, так, чтобы предохранить собственный диод MOSFET от открывания. Таким образом, значительно уменьшаются заряд и время обратного восстановления затвора (QRR = 28nC и trr = 26.6 ns соответственно, при токе 19 А и крутизне импульса di/dt = 300 A/µs). Уменьшение заряда обратного восстановления затвора также позволяет увеличить эффективность преобразователей постоянного напряжения. Вдобавок, замена простого MOSFET на MOSFET технологии SyncFET, с таким же сопротивлением сток-исток при открытом канале, уже сама по себе повышает эффективность устройства на 5%.
Конструктив Fairchild's FLMP помещен в корпус SO-8 и обеспечивает такие же температурные характеристики и низкое сопротивление, как и у традиционного MOSFET в значительно большем корпусе TO-263. Нагревание остается на уровне 0.5 градусов Цельсия на 1 ватт (для стандартного устройства в SO-8 - это 25 градусов). Также улучшается рассеяние мощности (3 ватта вместо 2.5 ). В комбинации с технологией SyncFET, конструктив FLMP позволяет уменьшить температуру работающего устройства (а, следовательно повысить его надежность) и в два раза уменьшить его размеры на плате, что облегчает разводку платы и размещение компонентов.
FDS7066SN3 - это член семейства SyncFet устройств фирмы Fairchild, предлагающего широкий набор одиночных и сдвоенных устройств, выполненных в стандартном или нестандартном конструктивах.
FDS7066SN3 хорошо дополняет другие устройства фирмы Fairchild для разработки преобразователей постоянного напряжения - ШИМ - контроллеров, оптопар и выпрямительных мостов.
Цена:FDS7066SN3 US$2.14 за штуку(при заказе 1,000 шт.) Доступность: сейчас Срок поставки: 8 недель ARO
April 24, 2003 Fairchild Semiconductor International (NYSE: FCS) Анонсировала выпуск транзистора MOSFET FDS7066SN3, впервые сочетающего в себе корпус FLMP (Flip Leaded Molded Package, разработки фирмы Fairchild) и технологию SyncFET. Это позволяет резко увеличить эффективность устройства и понижает общую стоимость разработки повышающих синхронных преобразователей постоянного напряжения. Когда в MOSFET структуру интегрирован диод Шоттки (технология SyncFET), эффективность управления током остается той же, что и при отдельном диоде Шотки, помещенном в тот же корпус. Однако эта интеграция дает порядка 50% выигрыша в объеме и и упрощает технологический процесс изготовления (выигрыш в стоимости и времени производства). Добавление корпуса FLMP SO-8 (разработка фирмы Fairchild) делает этот выиграш еще более ощутимым. В результате устойство имеет превосходные тепловые характеристики (нагревание составляет 0.5 градуса Цельсия на один ватт) и низкое сопротивление сток-исток при открытом канале (порядка 4.5 мОм при напряжении затвор-исток - 10В). Таким образом, этот N-канальный MOSFET транзистор является идеальным выбором при конструировании первичных каскадов повышающих синхронных преобразователей постоянного напряжения. Согласно технологическому процессу, запатентованному компанией Fairchild, титановый диод Шоттки внедряется в структуру PowerTrench® MOSFET. Это позволяет подогнать параметры диода Шоттки под параметры MOSFET, так, чтобы предохранить собственный диод MOSFET от открывания. Таким образом, значительно уменьшаются заряд и время обратного восстановления затвора (QRR = 28nC и trr = 26.6 ns соответственно, при токе 19 А и крутизне импульса di/dt = 300 A/µs). Уменьшение заряда обратного восстановления затвора также позволяет увеличить эффективность преобразователей постоянного напряжения. Вдобавок, замена простого MOSFET на MOSFET технологии SyncFET, с таким же сопротивлением сток-исток при открытом канале, уже сама по себе повышает эффективность устройства на 5%. Конструктив Fairchild's FLMP помещен в корпус SO-8 и обеспечивает такие же температурные характеристики и низкое сопротивление, как и у традиционного MOSFET в значительно большем корпусе TO-263. Нагревание остается на уровне 0.5 градусов Цельсия на 1 ватт (для стандартного устройства в SO-8 - это 25 градусов). Также улучшается рассеяние мощности (3 ватта вместо 2.5 ). В комбинации с технологией SyncFET, конструктив FLMP позволяет уменьшить температуру работающего устройства (а, следовательно повысить его надежность) и в два раза уменьшить его размеры на плате, что облегчает разводку платы и размещение компонентов. FDS7066SN3 - это член семейства SyncFet устройств фирмы Fairchild, предлагающего широкий набор одиночных и сдвоенных устройств, выполненных в стандартном или нестандартном конструктивах. FDS7066SN3 хорошо дополняет другие устройства фирмы Fairchild для разработки преобразователей постоянного напряжения - ШИМ - контроллеров, оптопар и выпрямительных мостов. Цена: FDS7066SN3 US$2.14 за штуку(при заказе 1,000 шт.)
Доступность: сейчас
Срок поставки: 8 недель ARO