Оптимизация конструкции - путь к совершенству электронной части и уменьшению числа элементов

14 июля, 2003, Royal Philips Electronics заявила об увеличении мощности MOSFET - её нового loss-free модуля (LFPAK) SOT669. Первоначально разработанные для DC/DC преобразователей, новые, меньшие и более эффективные, LFPAK устройства нашли свое применение в ноутбуках, рабочих компьютерах и серверах, и в других высокопроизводительных системах. Небольшой размер, наряду с исключительным термическим исполнением модуля, позволяет производителям разрабатывать устройства с меньшим числом элементов и меньшими габаритами.

Разработчики постоянно решают проблему повышения мощности устройств с ограничениями по плотности размещения внутренних модулей, таких как ноутбуки и DC/DC преобразователи, полагая, что эти устройства могут быть еще меньше. LFPAK MOSFET от Philips более быстродействующий модуль, чем SO8, но с теми же размерами. В отличие от SO8, который работает как переключатель, при разработке LFPAK SOT669 особое внимание уделялось мощности. Исключительные термические свойства LFPAK MOSFET наилучщим образом влияют на производительность модуля, размещенного в маленьком корпусе. В ряде случаев, это позволяет применить разработчикам два LFPAK, вместо трех SO8 модулей.

Основной путь отвода тепла - вниз на основание модуля и далее на печатную плату, так же, тепло рассеивается верхней частью модуля; LFPAK более устойчив к воздействию тепла, нежели SO8. As a result, the LFPAK MOSFETs offer inductance levels that are 50 percent lower than that of the SO8, thereby improving the switching speeds. LFPAK MOSFET более эффективно преобразует энергию от источника питания, что увеличивает время работы батарей и т.п.

Условия поставки
LFPAK MOSFET поставляется партиями не менее 10000 шт. Более подробно здесь.