Ramtron выпускает на рынок сегнетоэлектрическую память FM25V10-G емкостью 1 Мб
30.08.2009

FM25V10-G – сегнетоэлектрическая энергонезависимая память объемом 1 Мб с организацией 128к х 8 бит компании Ramtron. Может использоваться в качестве замены EEPROM в ответственных применениях.

Сегнетоэлектрическая память FM25V10-G емкостью 1 Мб

Память отличается скоростью чтения и записи сравнимой с ОЗУ и высокой надежностью. FM25V10-G имеет интерфейс SPI (40 МГц) и обеспечивает хранение данных в течении 10 лет.

Отличительные особенности:

  • организация памяти: 128к х 8 бит;
  • высокая надежность – до 1014 циклов чтения/записи;
  • хранение данных до 10 лет;
  • интерфейс: SPI (до 40 МГц);
  • напряжение питания: 2.0 В...3.6 В;
  • ток потребления в активном режиме: 90 мкА;
  • температурный диапазон: -40°C...+85°С;
  • тип корпуса: SOIC-8.

Функциональная схема FM25V10-G

Функциональная схема FM25V10-G

Области применения:

  • системы промышленной автоматизации,
  • медицинские приборы.
Подробнее >>

Реклама