Компания RF Microdevices (RFMD) – крупнейший мировой производитель радиочастотных и микроволновых компонентов - представляет гибридный удвоитель мощности D10040230PL1.

D10040230PL1 объединяет в себе кристаллы на основе GaAs и GaN pHEMT и обладает прекрасными выходными характеристиками, работая в частотном диапазоне 45...1000 МГц.

Особенности микросхемы:

• высокие параметры линейности,
• низкие затухание и уровень шума,
• высокая надежность.

Основные характеристики:

• Коэффициент усиления 22.5 дБ на частоте 1 ГГц
• Потребляемый ток снижен на 20% по сравнению со стандартными GaAs power doubler модулями - 450 мА
• Высокая линейность
• Входное и выходной сопротивление 75 Ом, не требуются согласующие цепи
• Низкие нелинейные искажения
• Технология GaN, обеспечивающая надежность при предельных режимах работы
• Низкий уровень шума: 4 дБ в диапазоне 50 … 1000 МГц
• Высокая стабильность при любых оконечных устройствах
• Корпус SOT-115J, стандартный для CATV усилительных устройств

Применение:

устройства усиления в системах абонентского телевидения 45 ... 1000 МГц.