RF Micro Devices – мировой лидер в разработке и производстве высокочастотных полупроводниковых компонентов объявил о расширении линейки генераторов ВЧ сигнала, управляемых напряжением, выполненных по монолитной интегральной технологии GaAs InGaP HBT.
Как известно, RFMD уже имеет в своей линейке серию гибридных ГУНов и синтезаторов с экстремально низкими фазовыми шумами, доставшуюся по наследству от приобретения UMC.
Микросхемы дополняют уже стартовавшего первенца серии – модель RFVC1800 в принципиально новом для производителя направлении – MMIC VCOs. Все микросхемы выполнены в недорогих низкопаразитных корпусах QFN 4×4 мм.
Основные характеристики микросхем приведены в таблице:
Позиция
Частотный
диапазон,
ГГц
Уровень выходной
мощности,
дБм
Напряжение
питания,
В
Подавление второй
гармоники,
дБ
Подавление третьей
гармоники,
дБ
RFVC1821
4.45 … 5.0
3.5
3
–7
–22
RFVC1822
5.0 … 5.5
3
3
–10
–39
RFVC1823
6.1 … 6.75
2
3
–7
–35
RFVC1824
7.2 … 8.0
5
3
–21
–33
RFVC1825
7.8 … 8.7
5
3
–25
–35
RFVC1829
6.8 … 7.4
7
3
–22
–27
Основными областями применения микросхем серии RFVC18xx являются:
Радары широкого спектра применения
Метрология
Широкополосные системы связи «точка-точка»
Тестовое оборудование
В планах RFMD расширять данную линейку, за счет покрытия новых диапазонов частот, и, одновременно повышать степень интеграции уже существующих микросхем в серии, путем добавления на кристалл дополнительных усилителей.
RF Micro Devices – мировой лидер в разработке и производстве высокочастотных полупроводниковых компонентов объявил о расширении линейки генераторов ВЧ сигнала, управляемых напряжением, выполненных по монолитной интегральной технологии GaAs InGaP HBT.
Как известно, RFMD уже имеет в своей линейке серию гибридных ГУНов и синтезаторов с экстремально низкими фазовыми шумами, доставшуюся по наследству от приобретения UMC.
Микросхемы дополняют уже стартовавшего первенца серии – модель RFVC1800 в принципиально новом для производителя направлении – MMIC VCOs. Все микросхемы выполнены в недорогих низкопаразитных корпусах QFN 4×4 мм.
Основные характеристики микросхем приведены в таблице:
Позиция
Частотный
диапазон,
ГГц
Уровень выходной
мощности,
дБм
Напряжение
питания,
В
Подавление второй
гармоники,
дБ
Подавление третьей
гармоники,
дБ
RFVC1821
4.45 … 5.0
3.5
3
–7
–22
RFVC1822
5.0 … 5.5
3
3
–10
–39
RFVC1823
6.1 … 6.75
2
3
–7
–35
RFVC1824
7.2 … 8.0
5
3
–21
–33
RFVC1825
7.8 … 8.7
5
3
–25
–35
RFVC1829
6.8 … 7.4
7
3
–22
–27
Основными областями применения микросхем серии RFVC18xx являются:
В планах RFMD расширять данную линейку, за счет покрытия новых диапазонов частот, и, одновременно повышать степень интеграции уже существующих микросхем в серии, путем добавления на кристалл дополнительных усилителей.
macrogroup.ru