Samsung Electronics разработала 4-гигабитный чип флэш-памяти OneNAND для мультимедийных устройств
19.05.2005

Флэш-память типа OneNAND предлагается в качестве запоминающего устройства для сотовых телефонов третьего поколения, персональных цифровых устройств, портативных игровых систем нового поколения и высокопроизводительных цифровых фотоаппаратов. Новый чип OneNAND имеет напряжение питания 1,8 В, и по сравнению c памятью других типов, работающей при напряжении 3,3 В, его энергопотребление почти вдвое ниже. Размеры нового чипа — 11×13 × 1,4 мм — существенно меньше, чем у конкурирующих устройств мобильной памяти памяти той же емкости.

Новые микросхемы отличаются высокой скоростью чтения — 108 Мбайт/с, что в четыре раза выше, чем у обычной NAND-памяти, а также высокой скоростью записи — 10 Мбайт/с, что в 60 раз превосходит скорость записи флэш-памяти типа NOR. На 4-гигабитном чипе, для примера, можно хранить 250 снимков, полученных с помощью 5-мегапиксельной камеры сотового телефона, или более 120 музыкальных файлов.

В настоящее время Samsung Electronics имеет широкую линейку микросхем OneNAND емкостью от 128 Мбит до 4 Гбит и предлагает программное обеспечение, с помощью которого память может быть оптимизирована для работы с любыми операционными системами, применяющимися в мобильных устройствах, включая Symbian и Linux.

С технической точки зрения, 4-Гбит память OneNAND представляет собой четыре чипа памяти OneNAND объемом 1 Гбит каждый, собранные в четырехслойном пакете (Quad Die Package). Чипы производятся с использованием 90-нм техпроцесса, запущенного в производство в ноябре 2004 года.

Подробнее >>

Реклама