Использование 70-нм технологического процесса при производстве 4-гигабитных чипов флэш-памяти типа NAND позволяет компании Samsung производить самые маленькие по размеру ячейки памяти — площадью 0,025 кв. мкм. Своему успешному развитию 70-нанометровый технологический процесс обязан применению литографического оборудования, которое использует коротковолновые источники света на основе фторида аргона (ArF), позволяющие добиться необходимой точности размещения элементов на кристалле.
Микросхемы, произведенные по 70-нанометровой технологии, демонстрируют впечатляющие скоростные характеристики: скорость записи — 16 Мбайт/с, что на 50% лучше, чем у современных 2-гигабитных чипов, выполненных по 90-нм технологическому процессу, и позволяет применять данный тип памяти для записи в реальном времени видеосигнала высокой четкости (HD).
Компания Samsung также анонсировала выпуск первой 300-миллиметровой кремниевой пластины (wafer) на новой технологической линии N14 на месяц раньше запланированного срока. Поначалу ее производительность составит 4000 пластин в месяц и выйдет на расчетную мощность в 15000 штук в месяц к концу 2005 года. Линия будет выпускать 70-нм 4-гигабитные и 90-нм 2-гигабитные чипы флэш-памяти типа NAND.
Использование 70-нм технологического процесса при производстве 4-гигабитных чипов флэш-памяти типа NAND позволяет компании Samsung производить самые маленькие по размеру ячейки памяти — площадью 0,025 кв. мкм. Своему успешному развитию 70-нанометровый технологический процесс обязан применению литографического оборудования, которое использует коротковолновые источники света на основе фторида аргона (ArF), позволяющие добиться необходимой точности размещения элементов на кристалле.
Микросхемы, произведенные по 70-нанометровой технологии, демонстрируют впечатляющие скоростные характеристики: скорость записи — 16 Мбайт/с, что на 50% лучше, чем у современных 2-гигабитных чипов, выполненных по 90-нм технологическому процессу, и позволяет применять данный тип памяти для записи в реальном времени видеосигнала высокой четкости (HD).
Компания Samsung также анонсировала выпуск первой 300-миллиметровой кремниевой пластины (wafer) на новой технологической линии N14 на месяц раньше запланированного срока. Поначалу ее производительность составит 4000 пластин в месяц и выйдет на расчетную мощность в 15000 штук в месяц к концу 2005 года. Линия будет выпускать 70-нм 4-гигабитные и 90-нм 2-гигабитные чипы флэш-памяти типа NAND.