Компания Samsung вышла на новый технологический уровень изготовления памяти для мобильных устройств, начав массовое производство первой в мире оперативной памяти LPDDR3 емкостью 2 ГБ.
Общая скорость передачи данных мобильных чипов равна 12.8 ГБ/с, а пропускная способность, пересчитанная на один вывод, составляет 1600 Мбит/с. Это значит, что LPDDR3 примерно на 50% быстрее, чем один чип памяти LPDDR2.
Высокая скорость передачи данных позволяет новому чипу поддерживать отображение 3D графики высокого разрешения и воспроизведение видео формата «full HD» на экранах, диагональ которых больше, чем стандартные 4 дюйма. Такая память будет использоваться в планшетах и смартфонах с широким дисплеем, которые планирует выпускать Samsung.
Новая память выполнена по технологии 30 нм, и в одной микросхеме содержится четыре чипа LPDDR3. Согласно заявлениям Samsung, ОЗУ LPDDR3 емкостью 2 ГБ является первым таким чипом памяти, доступным в столь компактном корпусе.
Нарушив закон Мура, компания Samsung смогла удвоить скорость памяти LPDDR2, серийное производство которой началось в октябре 2011 года, всего за десять месяцев.
За это время LPDDR2 была использована в составе таких устройств, как Motorola Droid 4 и iPad 3. Хотя компания Apple не раскрывает подробных характеристик iPhone5, в новом смартфоне, скорее всего, также будет установлена LPDDR2 емкостью 1 ГБ.
Микросхемы памяти LPDDR3 появятся на рынке в 2013 году.
Новая память примерно на 50% быстрее, чем LPDDR2
Компания Samsung вышла на новый технологический уровень изготовления памяти для мобильных устройств, начав массовое производство первой в мире оперативной памяти LPDDR3 емкостью 2 ГБ.
Общая скорость передачи данных мобильных чипов равна 12.8 ГБ/с, а пропускная способность, пересчитанная на один вывод, составляет 1600 Мбит/с. Это значит, что LPDDR3 примерно на 50% быстрее, чем один чип памяти LPDDR2.
Высокая скорость передачи данных позволяет новому чипу поддерживать отображение 3D графики высокого разрешения и воспроизведение видео формата «full HD» на экранах, диагональ которых больше, чем стандартные 4 дюйма. Такая память будет использоваться в планшетах и смартфонах с широким дисплеем, которые планирует выпускать Samsung.
Новая память выполнена по технологии 30 нм, и в одной микросхеме содержится четыре чипа LPDDR3. Согласно заявлениям Samsung, ОЗУ LPDDR3 емкостью 2 ГБ является первым таким чипом памяти, доступным в столь компактном корпусе.
Нарушив закон Мура, компания Samsung смогла удвоить скорость памяти LPDDR2, серийное производство которой началось в октябре 2011 года, всего за десять месяцев.
За это время LPDDR2 была использована в составе таких устройств, как Motorola Droid 4 и iPad 3. Хотя компания Apple не раскрывает подробных характеристик iPhone5, в новом смартфоне, скорее всего, также будет установлена LPDDR2 емкостью 1 ГБ.
Микросхемы памяти LPDDR3 появятся на рынке в 2013 году.