Работающий прототип чипа памяти объемом 512 МБ представила компания Samsung. Он позволит улучшить качество 3D графики и потокового видео, которые все чаще используются в мобильных телефонах последнего поколения.
Отличительными особенностями нового чипа являются высокая скорость передачи данных - до 333 Мбит/с и низкое энергопотребление - всего 1,8 вольт. Новая память может поставляться в двух форматах: DDR и DRAM/SDRAM, что позволит использовать ее в большом количестве различных устройств. Возможно использование совместно двух чипов, тем самым, увеличив объем памяти до 1 ГБ.
По прогнозам компании IDC, продажи 3G телефонов могут вырасти в этом году в среднем на 67%, а именно в этих аппаратах для поддержки различных мультимедийных функций требуется большой объем памяти.
Выпуск новых чипов начнется в начале второго полугодия 2005 года. Планируется производить как 16-разрядные, так и 32-разрядные микросхемы. Кроме мобильных телефонов, новая память может быть использована и в КПК, и в других мобильных устройствах.
Отличительными особенностями нового чипа являются высокая скорость передачи данных - до 333 Мбит/с и низкое энергопотребление - всего 1,8 вольт. Новая память может поставляться в двух форматах: DDR и DRAM/SDRAM, что позволит использовать ее в большом количестве различных устройств. Возможно использование совместно двух чипов, тем самым, увеличив объем памяти до 1 ГБ.
По прогнозам компании IDC, продажи 3G телефонов могут вырасти в этом году в среднем на 67%, а именно в этих аппаратах для поддержки различных мультимедийных функций требуется большой объем памяти.
Выпуск новых чипов начнется в начале второго полугодия 2005 года. Планируется производить как 16-разрядные, так и 32-разрядные микросхемы. Кроме мобильных телефонов, новая память может быть использована и в КПК, и в других мобильных устройствах.