Разработчики систем питания пытаются решить две основные проблемы – уменьшить размеры и при этом увеличить плотность мощности. Это особенно важно в ноутбуках, локализованных к нагрузке DC-DC преобразователях, серверах, игровых и телекоммуникационных приложениях. Для того, чтобы помочь инженерам решить эти проблемы, Fairchild Semiconductor разработала семейство FDMS36xxS двойных асимметричных MOSFET модулей.
Приборы семейства FDMS36xxS в корпусах PQFN включают в себя управляющий и синхронный MOSFET-транзистор, а так же монолитный диод Шоттки. Транзисторы соединены друг с другом внутри корпуса таким образом, чтобы сборку было легче разместить на плате синхронного понижающего преобразователя. Управляющий MOSFET (Q1) и синхронный MOSFET (SyncFET™) (Q2) разработаны для обеспечения максимального КПД при выходных токах до 30 А. Благодаря их интеграции в один модуль, модули семейства FDMS36xxS занимают на печатной плате меньшую площадь, чем два или более транзистора в корпусах PQFN, S08 или DPAK размером 5 × 6 мм.
Модули FDMS36XXS разработаны с применением архитектуры уравновешивающего заряда фирмы Fairchild (технология Shielded Gate – экранированный затвор) и передовых технологий упаковки для достижения низкого сопротивления RDS(ON) (порядка 2 мОм) и высокого напряжения пробоя. Устройства оптимизированы для минимизации сопротивления, снижения потерь при частотах переключения от 300 до 600 кГц и высокого уровня надежности для построения локализованных к нагрузке DC-DC преобразователей и многофазных синхронных понижающих DC-DC преобразователей.
Уникальная архитектура с модуляцией потенциала экрана и конструкция корпуса с ультранизкой индуктивностью, использованные в семействе FDMS36xxS двойных ассиметричных MOSFET-транзисторов, обеспечивают низкий уровень шумов переключения, сниженную чувствительность к изменениям конструкции и повышенную надежность. Низкий уровень шумов переключения устраняет необходимость в использовании внешних сглаживающих фильтров или резисторов в цепи затвора, тем самым, уменьшая стоимость готового проекта и сохраняя дополнительное свободное пространство на печатной плате.
Семейство FDMS36xxS в настоящее время включает в себя двойные асимметричные MOSFET транзисторы FDMS3602S и FDMS3604AS. Дополнительные устройства будут появляться на основе исследований по потребностям клиентов. Семейство модулей FDMS36xxS соответствует требованиям директивы RoHS.
Стоимость модулей FDMS3602S и FDMS3604AS в партиях по 1000 штук составляет $1.86 и $1.62, соответственно. Так же доступны инженерные образцы.
Разработчики систем питания пытаются решить две основные проблемы – уменьшить размеры и при этом увеличить плотность мощности. Это особенно важно в ноутбуках, локализованных к нагрузке DC-DC преобразователях, серверах, игровых и телекоммуникационных приложениях. Для того, чтобы помочь инженерам решить эти проблемы, Fairchild Semiconductor разработала семейство FDMS36xxS двойных асимметричных MOSFET модулей.
Приборы семейства FDMS36xxS в корпусах PQFN включают в себя управляющий и синхронный MOSFET-транзистор, а так же монолитный диод Шоттки. Транзисторы соединены друг с другом внутри корпуса таким образом, чтобы сборку было легче разместить на плате синхронного понижающего преобразователя. Управляющий MOSFET (Q1) и синхронный MOSFET (SyncFET™) (Q2) разработаны для обеспечения максимального КПД при выходных токах до 30 А. Благодаря их интеграции в один модуль, модули семейства FDMS36xxS занимают на печатной плате меньшую площадь, чем два или более транзистора в корпусах PQFN, S08 или DPAK размером 5 × 6 мм.
Модули FDMS36XXS разработаны с применением архитектуры уравновешивающего заряда фирмы Fairchild (технология Shielded Gate – экранированный затвор) и передовых технологий упаковки для достижения низкого сопротивления RDS(ON) (порядка 2 мОм) и высокого напряжения пробоя. Устройства оптимизированы для минимизации сопротивления, снижения потерь при частотах переключения от 300 до 600 кГц и высокого уровня надежности для построения локализованных к нагрузке DC-DC преобразователей и многофазных синхронных понижающих DC-DC преобразователей.
Уникальная архитектура с модуляцией потенциала экрана и конструкция корпуса с ультранизкой индуктивностью, использованные в семействе FDMS36xxS двойных ассиметричных MOSFET-транзисторов, обеспечивают низкий уровень шумов переключения, сниженную чувствительность к изменениям конструкции и повышенную надежность. Низкий уровень шумов переключения устраняет необходимость в использовании внешних сглаживающих фильтров или резисторов в цепи затвора, тем самым, уменьшая стоимость готового проекта и сохраняя дополнительное свободное пространство на печатной плате.
Семейство FDMS36xxS в настоящее время включает в себя двойные асимметричные MOSFET транзисторы FDMS3602S и FDMS3604AS. Дополнительные устройства будут появляться на основе исследований по потребностям клиентов. Семейство модулей FDMS36xxS соответствует требованиям директивы RoHS.
Стоимость модулей FDMS3602S и FDMS3604AS в партиях по 1000 штук составляет $1.86 и $1.62, соответственно. Так же доступны инженерные образцы.
Перевод: TenzoR по заказу РадиоЛоцман
На английском языке: Fairchild Semiconductor's Power Stage Dual Asymmetric MOSFETs Address Power Supply Designers' Need for High Power Density, Ease of Design