Silego начала производство делителей мощности, устойчивых к броскам напряжения до 130 В
25.07.2017

WLCSP28Объединив на одном кристалле два высококачественных MOSFET с низкими сопротивлениями каналов и быстродействующие цепи защиты от перенапряжений, Silego создала передовое решение, пригодное для использования в приложениях USB Type C

Silego Technology сообщила о начале производства микросхемы SLG59H1302C – очень надежного делителя мощности с одним входом и двумя выходами, предназначенного для смартфонов среднего и верхнего уровня и планшетных ПК.

Silego - SLG59H1302C

Любая интегральная схема, предназначенная для использования в бытовой электронике и устанавливаемая вблизи внешнего разъема, должна быть устойчивой к броскам напряжения и перегрузкам, вызванным неправильным использованием сетевых адаптеров. Защита от повышенных напряжений на системном уровне стала стандартным требованием для таких приложений. SLG59H1302C выдерживает броски напряжения до 130 В, что на 30% больше, чем у конкурентов, а по равному 20 нс времени реакции на перенапряжение превосходит аналогичные решения, как минимум, в семь раз. Хотя микросхема предназначена для использования с сетевыми адаптерами, имеющими выходные напряжения 5 В, 9 В или 12 В, она не будет повреждена даже при ошибочном подключении 20-вольтового адаптера.

Блок-схема SLG59H1302C
Блок-схема SLG59H1302C.

Используя оригинальную технологию изготовления MOSFET, инженеры Silego смогли разместить два высококачественных N-канальных транзистора в компактном корпусе WLCSP площадью 5 мм2, не превышающем размеров конкурирующих продуктов. При этом у SLG59H1302C сопротивление VBUS –> VOUT на 47%, а VBUS –> VSYS – на 31% меньше, чем у существующих приборов. Благодаря столь высоким характеристикам MOSFET, SLG59H1302C работает при очень низких температурных градиентах, позволяя увеличить плотность компоновки элементов и упростить отвод тепла.

Ключевые характеристики SLG59H1302C

  • Постоянная работа при напряжении VBUS до 28 В;
  • Внутренний ограничитель, устойчивый к броскам напряжения до 130 В;
  • Широкий диапазон входных напряжений: от 2.7 В до 13.2 В;
  • Высококачественные интегрированные сильноточные N-канальные MOSFET с низкими значениями сопротивлений и токов утечки:
    • VBUS –> VOUT: 12 мОм,
    • VBUS –> VSYS: 24 мОм, встречно включенные транзисторы;
  • Максимальный продолжительный пропускаемый ток:
    • VBUS –> VOUT: 6 А,
    • VBUS –> VSYS: 6 А;
  • Интегрированная быстродействующая защита от повышенного напряжения:
    • VBUS –> VOUT: 14.1 В,
    • VBUS –> VSYS: 5.25 В;
  • Интегрированная защита от пониженного входного напряжения;
  • Защитное отключение при перегреве;
  • Интегрированный постоянно включенный стабилизатор для питания внешних схем;
  • Независимое управление отключением;
  • Двухтактный цифровой выход «Питание в норме»;
  • Диапазон рабочих температур от –40 °C до 85 °C.

Некоторые области применения SLG59H1302C

  • Смартфоны среднего и высшего классов;
  • Планшетные компьютеры.
Подробнее >>

Реклама