Корпорация International Rectifier анонсировала силовой МОП-транзисторIRF6665 в корпусе DirectFETTM, специальнго созданный для высокоэффективных высококачественных аудиоусилителей класса D среднего диапазона мощности. Характеристики нового прибора специально оптимизированы для одновременного обеспечения высокого КПД, коэффициента нелинейных искажений и объемной плотности энергии. Типовыми приложениями для нового прибора являются аудиоусилители класса D с батарейным питанием - профессиональные High-End усилители, электромузыкальные инструменты, автомагнитолы, бытовые мультимедийные системы.
Помимо оптимизированного для подобных приложений кристалла, немалый вклад в повышение качества аудиоусилителя вносит и сама технология корпусирования транзистора DirectFET, благодаря существенному снижению индуктивности выводов, позитивно влияющего на характеристики переключения и снижение уровня помех. Тепловые характеристики прибора обеспечивают уверенную работу аудиоусилителя клааса D при выходной мощности 100вт на нагрузку 8Ом без применения теплоотвода. Это обеспечивает значительное улучшение массо-габаритных характеристик и снижение цены аудиоусилителя. Наиболее важными парметрами транзистора, определяющими качество аудиоусилителя класса D, являются сопротивление открытого канала Rds(on) и заряд затвораr Qg.
При создании нового транзистора компанией IR был использован опыт разработки транзисторов, оптимизированных для применения в узлах синхронного выпрямления понижающих DC/DC конверторов, где требования к транзисторам во многом совпадают. Новый 100-вольтовый транзистор нормирован на максимальное сопротивление канала 51мОм и ток 19А. При этом заряд затвора составляет только 8нК а заряд переключения всего 3.5нК. Благодаря этому у нового транзистора нет достойных конкурентов на рынке.
Корпорация International Rectifier анонсировала силовой МОП-транзистор IRF6665 в корпусе DirectFETTM, специальнго созданный для высокоэффективных высококачественных аудиоусилителей класса D среднего диапазона мощности. Характеристики нового прибора специально оптимизированы для одновременного обеспечения высокого КПД, коэффициента нелинейных искажений и объемной плотности энергии. Типовыми приложениями для нового прибора являются аудиоусилители класса D с батарейным питанием - профессиональные High-End усилители, электромузыкальные инструменты, автомагнитолы, бытовые мультимедийные системы.
Помимо оптимизированного для подобных приложений кристалла, немалый вклад в повышение качества аудиоусилителя вносит и сама технология корпусирования транзистора DirectFET, благодаря существенному снижению индуктивности выводов, позитивно влияющего на характеристики переключения и снижение уровня помех. Тепловые характеристики прибора обеспечивают уверенную работу аудиоусилителя клааса D при выходной мощности 100вт на нагрузку 8Ом без применения теплоотвода. Это обеспечивает значительное улучшение массо-габаритных характеристик и снижение цены аудиоусилителя. Наиболее важными парметрами транзистора, определяющими качество аудиоусилителя класса D, являются сопротивление открытого канала Rds(on) и заряд затвораr Qg.
При создании нового транзистора компанией IR был использован опыт разработки транзисторов, оптимизированных для применения в узлах синхронного выпрямления понижающих DC/DC конверторов, где требования к транзисторам во многом совпадают. Новый 100-вольтовый транзистор нормирован на максимальное сопротивление канала 51мОм и ток 19А. При этом заряд затвора составляет только 8нК а заряд переключения всего 3.5нК. Благодаря этому у нового транзистора нет достойных конкурентов на рынке.