Компания Sirenza произвела первый усилитель мощности на основе нитрида галия (GaN) с выходной мощностью выше 2 Вт и коэффициентом шума ниже 1 дБ, работающий в диапазоне от 0.2 до 8 ГГц. Данный транзистор Sirenza, выполненный по технологии HEMT, удалось создать в отделе космических технологий корпорации Нортроп-Грумман (Northrop Grumman Corp). Главным достижением является одновременное обеспечение низких шумов и высоких мощностных показателей. Потенциальными областями применения данного усилителя могут быть трансиверы базовых станций сотовой телефонии, приложения WiMAX, а также цифровое кабельное телевидение.
Согласно заявлениям представителей Sirenza, монолитное исполнение усилителя обеспечивает высокий потенциал для развития данного типа устройств. Также должна повыситься воспроизводимость характеристик всего устройства, в составе которого будет применяться данная микросхема.
До настоящего момента согласованные МШУ на основе интегральных СВЧ микросхем были ограничены пределом по мощности 1 мВт или ниже, имея при этом коэффициент шума выше 1 дБ в диапазонах S и C. При обеспечении питания 12 В и токе 200 мА, микросхема данного усилителя показала коэффициент шума приблизительно 0.5 дБ. При питании 15 В коэффициент шума лежал в пределах 0.7-0.9 дБ. Максимальная зафиксированная плотность мощности равна 2.2 Вт/кв.мм.
Компания Sirenza произвела первый усилитель мощности на основе нитрида галия (GaN) с выходной мощностью выше 2 Вт и коэффициентом шума ниже 1 дБ, работающий в диапазоне от 0.2 до 8 ГГц. Данный транзистор Sirenza, выполненный по технологии HEMT, удалось создать в отделе космических технологий корпорации Нортроп-Грумман (Northrop Grumman Corp). Главным достижением является одновременное обеспечение низких шумов и высоких мощностных показателей. Потенциальными областями применения данного усилителя могут быть трансиверы базовых станций сотовой телефонии, приложения WiMAX, а также цифровое кабельное телевидение.
Согласно заявлениям представителей Sirenza, монолитное исполнение усилителя обеспечивает высокий потенциал для развития данного типа устройств. Также должна повыситься воспроизводимость характеристик всего устройства, в составе которого будет применяться данная микросхема.
До настоящего момента согласованные МШУ на основе интегральных СВЧ микросхем были ограничены пределом по мощности 1 мВт или ниже, имея при этом коэффициент шума выше 1 дБ в диапазонах S и C. При обеспечении питания 12 В и токе 200 мА, микросхема данного усилителя показала коэффициент шума приблизительно 0.5 дБ. При питании 15 В коэффициент шума лежал в пределах 0.7-0.9 дБ. Максимальная зафиксированная плотность мощности равна 2.2 Вт/кв.мм.
Макро Групп