Совет директоров «Российской корпорации нанотехнологий» («Роснано») на первом заседании, состоявшемся 24 марта 2011 г., одобрил выделение проектной компании «Ситроникс-Нано» займа в размере не более 1.8 млрд руб. при условии привлечения проектной компанией аналогичной суммы в виде кредита от одного из коммерческих банков. Средства от займа будут направлены на реализацию проекта по созданию серийного производства микросхем с проектными нормами 90 нанометров, говорится в сообщении «Роснано».
Напомним, что инвестиционный договор по созданию серийного производства интегральных схем на основе наноэлектронной технологии с проектными нормами 90 нм был подписан между «Роснано» и АФК «Система» в октябре 2009 г. Создать производство планировалось на базе проектной компании «Ситроникс-Нано» с использованием инфраструктуры завода «Микрон» (входит в состав ОАО «Ситроникс», крупнейшим акционером которого является АФК «Система»). Выпускать интегральные схемы с проектными нормами 90 нм на пластинах диаметром 200 мм предполагалось по технологии швейцарского производителя полупроводников STMicroelectronics.
Совет директоров «Российской корпорации нанотехнологий» («Роснано») на первом заседании, состоявшемся 24 марта 2011 г., одобрил выделение проектной компании «Ситроникс-Нано» займа в размере не более 1.8 млрд руб. при условии привлечения проектной компанией аналогичной суммы в виде кредита от одного из коммерческих банков. Средства от займа будут направлены на реализацию проекта по созданию серийного производства микросхем с проектными нормами 90 нанометров, говорится в сообщении «Роснано».
Напомним, что инвестиционный договор по созданию серийного производства интегральных схем на основе наноэлектронной технологии с проектными нормами 90 нм был подписан между «Роснано» и АФК «Система» в октябре 2009 г. Создать производство планировалось на базе проектной компании «Ситроникс-Нано» с использованием инфраструктуры завода «Микрон» (входит в состав ОАО «Ситроникс», крупнейшим акционером которого является АФК «Система»). Выпускать интегральные схемы с проектными нормами 90 нм на пластинах диаметром 200 мм предполагалось по технологии швейцарского производителя полупроводников STMicroelectronics.
cnews.ru