Снизить потери энергии: гетероструктурные полевые транзисторы CoolGaN
07.07.2019

Применение HEMT-транзисторов CoolGaN™ от Infineon позволяет достичь КПД преобразователей в 99% и плотности энергии 24 Вт/дюйм3 для выпрямителей и 160 Вт/дюйм3 для резонансных LLC-преобразователей.

Снизить потери энергии: гетероструктурные полевые транзисторы CoolGaN<SUP><FONT SIZE=-1>TM</FONT></SUP> от Infineon

Сегодня вопросы уменьшения потерь энергии всех видов, особенно электрической – одной из самых дорогих – встают перед человеком особенно остро. Лавинообразное увеличение количества электрооборудования на фоне общего уменьшения доступности энергоресурсов, загрязнение окружающей среды и глобальные климатические изменения привели к тому, что любое вынужденное выделение тепла начинает расцениваться как преступное расточительство.

Читать статью »

Подробнее >>

Реклама