Создан устойчивый к внешним воздействиям органический полевой транзистор
31.01.2011

В Технологическом институте Джорджии (США) сконструирован органический полевой транзистор с верхним затвором и двойным изолирующим слоем.

 Органический полевой транзистор с верхним затвором
 Органический полевой транзистор с верхним затвором

Первым компонентом изолирующего слоя затвора разработчики сделали оксид алюминия Al2O3, а рядом с ним расположился фторированный полимер CYTOP. При этом CYTOP дает минимальное количество дефектов в области контакта с органическим полупроводником, но его диэлектрическая проницаемость мала; Al2O3, диэлектрик с высоким значением диэлектрической проницаемости, имеет прямо противоположные свойства.

«Выходит, в нашем транзисторе действуют сразу два механизма ухудшения характеристик, – замечает участник исследования Бернард Киппелен (Bernard Kippelen). – Однако компоненты изолирующего слоя идеально дополняют друг друга, и отрицательные эффекты нейтрализуются».

Новый транзистор продемонстрировал стабильность характеристик – порогового напряжения и мобильности – в 20 000 рабочих циклов и в 24-часовых испытаниях на смещение постоянным током. За 210 дней, проведенных на воздухе, он также не потерял своих свойств; более того, устройство сохранило работоспособность даже после часового погружения в ацетон.

Транзисторы такого типа можно изготавливать при температуре менее 150 °C в обычной атмосфере, что позволяет размещать их на пластиковых гибких подложках. При создании опытных образцов использовались стеклянные подложки.

science.compulenta.ru

Подробнее >>

Реклама