Специалисты AMD сообщают новые данные о разрабатываемых высокоскоростных транзисторах с рекордной производительностью
13.12.2003

Новая технология более чем вдвое повышает производительность транзисторов по сравнению с нынешним уровнем и позволяет создавать законченные решения с заделом на будущее

9 Декабря 2003 - На очередной ежегодной международной конференции по электронным устройствам IEDM 2003 (International Electron Devices Meeting), проведенной институтом IEEE в Вашингтоне, корпорация AMD сообщила дополнительную информацию о своей новейшей технологии транзисторов следующего поколения типа «кремний на диэлектрике» (SOI), а также представила новые данные об успешном использовании этой технологии в микропроцессорах, выпускаемых корпорацией в настоящее время.

На пути к созданию законченного 45-нм решения
Ожидается, что новый транзистор AMD станет высоконадежным решением для многих ключевых задач, с которыми полупроводниковая отрасль может столкнуться в ходе разработки 45-нм технологий.

Согласно Международному технологическому плану выпуска полупроводников (International Technology Roadmap for Semiconductors), для выхода на прогнозируемый уровень производительности в 45-нм технологии необходимо снизить размер транзисторного затвора (основного компонента транзистора, включающего и выключающего проходящий через него электрический ток) до 20 нанометров. Сегодня минимальная длина затвора в самых быстродействующих микропроцессорах AMD составляет примерно 50 нм.

Уникальная многозатворная структура
Новая архитектура транзисторов, разработанная в AMD, состоит из трех затворов (в современных транзисторах используется только один затвор) и включает ряд новшеств, которые позволят в дальнейшем постепенно уменьшить размер затвора до 20 нм и ниже, сопровождая это повышением быстродействия и сокращением утечки тока. Кроме того, в транзисторных затворах AMD не используются так называемые диэлектрики high-k, которые, как было замечено, оказывают негативное влияние на некоторые аспекты производительности транзистора.

При создании многозатворной структуры исследователи AMD использовали следующие технологии:

  • Полностью обедненный кремний на диэлектрике (FDSOI): это технология SOI нового поколения, отличающаяся от современных решений повышенной производительностью и экономным энергопотреблением.
  • Металлические затворы: затворы изготавливаются из силицида кремния, а не из полисиликона, как прежде, что позволяет повысить силу тока и уменьшить нежелательные утечки.
  • Локально деформированный канал: революционный метод применения улучшенных материалов с «растянутой» кристаллической решеткой. Увеличение межатомных промежутков в токопроводящем канале транзистора способствует большей подвижности электронов.

В результате этих исследований в AMD были сконструированы транзисторы, демонстрирующие рекордную производительность на фоне резкого сокращения утечки тока. Подробнее с техническими характеристиками многозатворной архитектуры AMD, обнародованными на конференции, можно ознакомиться на сайте www.amd.com/IEDM03_triple.

Реализация преимуществ SOI
Исследования AMD в области нового поколения SOI опираются на достигнутые компанией успехи в применении SOI в условиях крупномасштабного производства на заводе AMD Fab 30. Специалисты AMD рассказали на конференции IEDM и об этих успехах, предоставив исчерпывающую информацию о том, как технологии SOI, используемые в процессорах AMD64, позволяют увеличивать производительность продукта и одновременно снижать требования к уровню энергопотребления.

AMD также впервые сообщила о своих достижениях в области использования так называемых диэлектриков «low-k», улучшающих быстродействие электрических схем. Эти материалы изолируют медные межсоединения, по которым в микросхеме передаются электрические сигналы, и тем самым позволяют снизить уровень энергии, необходимой для распространения этих сигналов. AMD является признанным лидером по внедрению материалов low-k в массовое производство еще со времен реализации 130-нм технологического процесса на заводе Fab 30.


Подробнее >>

Реклама