Передовая технология MDmesh V дает возможность достижения рекордно низкого сопротивления открытого канала в 0,079 Ом для 650-вольтовых транзисторов в компактных стандартных корпуса.
Первый прибор STP42N65M5 в корпусе ТО-220, уже доступный на рынке, имеет сопротивление 0,079 Ом и прямой ток 33 А при t = + 25ºC. В ближайшее время этот транзистор будет доступен также и в корпусах TO-220FP, D2PAK, I2PAK и ТО-247.
Следующий прибор, разработанный по этой технологии STx16N65M5, также 650-вольтовый, имеет сопротивление 0,299 Ом и ток 12 А. Все семейство 650-вольтовых полевых транзисторов также будет включать в свой состав сильноточные приборы с сопротивлением 0,022 Ом в корпусе Max247 и с сопротивлением 0,038 Ом в корпусе ТО-247. Эти приборы будут доступны в марте 2009 г.
Последняя версия Multi-Drain Mesh технологии, MDmesh V позволяет достичь очень низких значений сопротивления канала за счет улучшения структуры стока, что позволяет уменьшить падение напряжение между стоком и истоком транзистора. Это также позволяет снизить потери при переключении и достичь минимального значения заряда затвора, что в итоге приводит к более высокой частоте работы.
Обратное пробивное напряжение также повышено до 650 В по сравнению с традиционными 600-вольтовыми транзисторами, обеспечивая высокую надежность работы в этом диапазоне напряжений. Дополнительным преимуществом этой технологии является более правильная форма выходного импульса, что обеспечивает простое управление по затвору и упрощение фильтрации для снижения уровня электромагнитного излучения.
Областями применения этих не самых дешевых транзисторов являются энергоемкая продукция, такая, как источники питания для ноутбуков, мониторов и телевизоров, балласты люминесцентных ламп, телекоммуникационное оборудование, преобразователи солнечных батарей и др., там где требуется разработка высоковольтных корректоров мощности и импульсных источников питания.
Передовая технология MDmesh V дает возможность достижения рекордно низкого сопротивления открытого канала в 0,079 Ом для 650-вольтовых транзисторов в компактных стандартных корпуса.
Первый прибор STP42N65M5 в корпусе ТО-220, уже доступный на рынке, имеет сопротивление 0,079 Ом и прямой ток 33 А при t = + 25ºC. В ближайшее время этот транзистор будет доступен также и в корпусах TO-220FP, D2PAK, I2PAK и ТО-247.
Следующий прибор, разработанный по этой технологии STx16N65M5, также 650-вольтовый, имеет сопротивление 0,299 Ом и ток 12 А. Все семейство 650-вольтовых полевых транзисторов также будет включать в свой состав сильноточные приборы с сопротивлением 0,022 Ом в корпусе Max247 и с сопротивлением 0,038 Ом в корпусе ТО-247. Эти приборы будут доступны в марте 2009 г.
Последняя версия Multi-Drain Mesh технологии, MDmesh V позволяет достичь очень низких значений сопротивления канала за счет улучшения структуры стока, что позволяет уменьшить падение напряжение между стоком и истоком транзистора. Это также позволяет снизить потери при переключении и достичь минимального значения заряда затвора, что в итоге приводит к более высокой частоте работы.
Обратное пробивное напряжение также повышено до 650 В по сравнению с традиционными 600-вольтовыми транзисторами, обеспечивая высокую надежность работы в этом диапазоне напряжений. Дополнительным преимуществом этой технологии является более правильная форма выходного импульса, что обеспечивает простое управление по затвору и упрощение фильтрации для снижения уровня электромагнитного излучения.
Областями применения этих не самых дешевых транзисторов являются энергоемкая продукция, такая, как источники питания для ноутбуков, мониторов и телевизоров, балласты люминесцентных ламп, телекоммуникационное оборудование, преобразователи солнечных батарей и др., там где требуется разработка высоковольтных корректоров мощности и импульсных источников питания.
Компэл