STMicroelectronics расширяет семейство MasterGaN новым устройством, оптимизированным для асимметричных топологий
MasterGaN2
Взяв за основу технологию платформы MasterGaN, STMicroelectronics (ST) создала высоковольтный полумостовой драйвер, ставший первым устройством в новом семействе MasterGaN2, содержащим два асимметричных нитрид-галлиевых (GaN) транзистора и обеспечивающим интегрированное решение для топологий преобразователей с мягким переключением и активным выпрямлением.
Нормально закрытые 650-вольтовые GaN транзисторы имеют сопротивления открытых каналов 150 мОм и 225 мОм. Каждый из них объединен с оптимизированным драйвером затвора, что делает GaN приборы такими же простыми в использовании, как и обычные кремниевые устройства. Сочетая расширенную интеграцию с присущими GaN преимуществами в характеристиках, MasterGaN2 еще больше расширяет возможности повышения КПД, уменьшения размеров и снижения веса обратноходовых преобразователей с активным ограничением.
Системы в корпусе семейства MasterGaN содержат два GaN транзистора с высокой подвижностью электронов (HEMT). Транзисторы и связанные с ними высоковольтные драйверы затворов размещаются в одном корпусе со всеми необходимыми встроенными механизмами защиты. Разработчик может легко подключить внешние устройства, включая датчики Холла и контроллер, такой как сигнальный процессор, ПЛИС или микроконтроллер, непосредственно к устройству MasterGaN. Входы прибора совместимы с логическими сигналами от 3.3 В до 15 В, что упрощает конструкцию схемы, сокращает количество необходимых компонентов, уменьшает требуемую площадь платы и облегчает монтаж. Такой уровень интеграции помогает повысить плотность мощности адаптеров и устройств быстрой зарядки.
Технология GaN поддерживает эволюцию адаптеров USB-PD и зарядных устройств для смартфонов. Выпускаемые ST устройства MasterGaN позволяют сделать их на 80% меньше и на 70% легче, увеличив при этом скорость зарядки в три раза по сравнению с обычными решениями на основе кремния.
Функции встроенной защиты включают в себя блокировку верхнего и нижнего плеча при пониженном напряжении, блокировки драйверов затворов, специальный вывод внешнего отключения и защиту от перегрева. Корпус GQFN размером 9 мм × 9 мм × 1 мм, оптимизированный для высоковольтных приложений, имеет зазоры между высоковольтными и низковольтными контактами, равные 2 мм.
Устройства MasterGaN2 уже выпускаются серийно и в партиях из 1000 приборов продаются по ценам, начинающимся от $6.50 за штуку.
Демонстрационная плата EVALMASTERGAN2 для высоковольтного
полумостового драйвера MasterGaN.
STMicroelectronics расширяет семейство MasterGaN новым устройством, оптимизированным для асимметричных топологий
MasterGaN2
Взяв за основу технологию платформы MasterGaN, STMicroelectronics (ST) создала высоковольтный полумостовой драйвер, ставший первым устройством в новом семействе MasterGaN2, содержащим два асимметричных нитрид-галлиевых (GaN) транзистора и обеспечивающим интегрированное решение для топологий преобразователей с мягким переключением и активным выпрямлением.
Нормально закрытые 650-вольтовые GaN транзисторы имеют сопротивления открытых каналов 150 мОм и 225 мОм. Каждый из них объединен с оптимизированным драйвером затвора, что делает GaN приборы такими же простыми в использовании, как и обычные кремниевые устройства. Сочетая расширенную интеграцию с присущими GaN преимуществами в характеристиках, MasterGaN2 еще больше расширяет возможности повышения КПД, уменьшения размеров и снижения веса обратноходовых преобразователей с активным ограничением.
Системы в корпусе семейства MasterGaN содержат два GaN транзистора с высокой подвижностью электронов (HEMT). Транзисторы и связанные с ними высоковольтные драйверы затворов размещаются в одном корпусе со всеми необходимыми встроенными механизмами защиты. Разработчик может легко подключить внешние устройства, включая датчики Холла и контроллер, такой как сигнальный процессор, ПЛИС или микроконтроллер, непосредственно к устройству MasterGaN. Входы прибора совместимы с логическими сигналами от 3.3 В до 15 В, что упрощает конструкцию схемы, сокращает количество необходимых компонентов, уменьшает требуемую площадь платы и облегчает монтаж. Такой уровень интеграции помогает повысить плотность мощности адаптеров и устройств быстрой зарядки.
Технология GaN поддерживает эволюцию адаптеров USB-PD и зарядных устройств для смартфонов. Выпускаемые ST устройства MasterGaN позволяют сделать их на 80% меньше и на 70% легче, увеличив при этом скорость зарядки в три раза по сравнению с обычными решениями на основе кремния.
Функции встроенной защиты включают в себя блокировку верхнего и нижнего плеча при пониженном напряжении, блокировки драйверов затворов, специальный вывод внешнего отключения и защиту от перегрева. Корпус GQFN размером 9 мм × 9 мм × 1 мм, оптимизированный для высоковольтных приложений, имеет зазоры между высоковольтными и низковольтными контактами, равные 2 мм.
Устройства MasterGaN2 уже выпускаются серийно и в партиях из 1000 приборов продаются по ценам, начинающимся от $6.50 за штуку.
полумостового драйвера MasterGaN.
Перевод: AlexAAN по заказу РадиоЛоцман