Выпущенный компанией STMicroelectronics (ST) полный набор 1200-вольтовых карбид-кремниевых (SiC) диодов с барьером Шоттки, рассчитанных на рабочие токи от 2 А до 40 А, расширит круг приложений, которые получат выигрыш от низких потерь переключения, быстрого восстановления и стабильных температурных характеристик технологии SiC.
Разработанная ST технология промышленного изготовления SiC диодов позволяет создавать исключительно надежные устройства с самым низким в своем классе прямым падением напряжения VF и предоставляет разработчикам дополнительные возможности, используя более слаботочные и, соответственно, более дешевые диоды, повысить КПД своих устройств. Это делает технологию SiC доступнее для таких критичных к цене приложений, как инверторы солнечных батарей, промышленные драйверы двигателей, бытовые электроприборы и адаптеры питания.
В то же время, устройства, для которых высокий уровень характеристик важнее цены, могут стать еще совершеннее от использования преимуществ легкого веса, небольших размеров или лучших тепловых параметров новейших 1200-вольтовых SiC диодов ST. Расширенные границы эффективности, обеспечиваемые более низкими значениями VF, дадут существенный выигрыш такому автомобильному оборудованию, как бортовые зарядные устройства и зарядные станции для гибридных и электрических транспортных средств. С другой стороны, общая надежность приборов идеально соответствует требованиям, предъявляемым к системам питания телекоммуникационного и серверного оборудования, мощным промышленным импульсным преобразователям напряжения, приводам двигателей, источникам бесперебойного питания и большим солнечным инверторам.
Помимо преимуществ, связанных с увеличением КПД, технология SiC обеспечивает самые низкие значения VF, способствуя снижению рабочей температуры устройства и увеличению срока его службы. Кроме того, для технологии компании ST характерен меньший разброс гарантированных прямых напряжений диодов, позволяющий изготовителям конечной продукции повысить воспроизводимость параметров при массовом выпуске продукции.
Новое семейство 1200-вольтовых SiC диодов компании ST, охватывающее диапазон допустимых токов от 2 А до 40 А и содержащее, в частности, приборы для автомобильных устройств, выпускается в корпусах для поверхностного монтажа DPAK HV и D2PAK, или в корпусах для монтажа в отверстия TO-220AC и TO-247LL. ST является единственным поставщиком, предлагающим 1200-вольтовые SiC диоды в корпусах D2PAK. Цены для лотов объемом 1000 приборов начинаются от $2.50 за один 10-амперный диод STPSC10H12D в корпусе TO-220AC.
Выпущенный компанией STMicroelectronics (ST) полный набор 1200-вольтовых карбид-кремниевых (SiC) диодов с барьером Шоттки, рассчитанных на рабочие токи от 2 А до 40 А, расширит круг приложений, которые получат выигрыш от низких потерь переключения, быстрого восстановления и стабильных температурных характеристик технологии SiC.
Разработанная ST технология промышленного изготовления SiC диодов позволяет создавать исключительно надежные устройства с самым низким в своем классе прямым падением напряжения VF и предоставляет разработчикам дополнительные возможности, используя более слаботочные и, соответственно, более дешевые диоды, повысить КПД своих устройств. Это делает технологию SiC доступнее для таких критичных к цене приложений, как инверторы солнечных батарей, промышленные драйверы двигателей, бытовые электроприборы и адаптеры питания.
В то же время, устройства, для которых высокий уровень характеристик важнее цены, могут стать еще совершеннее от использования преимуществ легкого веса, небольших размеров или лучших тепловых параметров новейших 1200-вольтовых SiC диодов ST. Расширенные границы эффективности, обеспечиваемые более низкими значениями VF, дадут существенный выигрыш такому автомобильному оборудованию, как бортовые зарядные устройства и зарядные станции для гибридных и электрических транспортных средств. С другой стороны, общая надежность приборов идеально соответствует требованиям, предъявляемым к системам питания телекоммуникационного и серверного оборудования, мощным промышленным импульсным преобразователям напряжения, приводам двигателей, источникам бесперебойного питания и большим солнечным инверторам.
Помимо преимуществ, связанных с увеличением КПД, технология SiC обеспечивает самые низкие значения VF, способствуя снижению рабочей температуры устройства и увеличению срока его службы. Кроме того, для технологии компании ST характерен меньший разброс гарантированных прямых напряжений диодов, позволяющий изготовителям конечной продукции повысить воспроизводимость параметров при массовом выпуске продукции.
Новое семейство 1200-вольтовых SiC диодов компании ST, охватывающее диапазон допустимых токов от 2 А до 40 А и содержащее, в частности, приборы для автомобильных устройств, выпускается в корпусах для поверхностного монтажа DPAK HV и D2PAK, или в корпусах для монтажа в отверстия TO-220AC и TO-247LL. ST является единственным поставщиком, предлагающим 1200-вольтовые SiC диоды в корпусах D2PAK. Цены для лотов объемом 1000 приборов начинаются от $2.50 за один 10-амперный диод STPSC10H12D в корпусе TO-220AC.