СВЧ и силовая ЭКБ на основе GaN, перспективные микроконтроллеры для гражданского рынка от АО «НИИЭТ» на Саммите дизайн-центров электроники
02.06.2023

СВЧ и силовая ЭКБ на основе GaN, перспективные микроконтроллеры для гражданского рынка от АО «НИИЭТ» на Саммите дизайн-центров электроники

Саммит дизайн-центров электроники в этом году проводился во второй раз. Мероприятие организовано Ассоциацией «Консорциум дизайн-центров и предприятий радиоэлектронной промышленности» (АКРП – Консорциум дизайн-центров) при поддержке Минпромторга России.

СВЧ и силовая ЭКБ на основе GaN, перспективные микроконтроллеры для гражданского рынка от АО «НИИЭТ» на Саммите дизайн-центров электроники

В рамках данного мероприятия технический директор АО «НИИЭТ» Игорь Семейкин представил доклад на тему «СВЧ и силовая ЭКБ на основе GaN, перспективные микроконтроллеры для гражданского рынка» в рамках кооперационной сессии «Российская ЭКБ и модули для гражданского рынка». Представитель института познакомил участников саммита с основными сведениями о предприятии, в том числе о его возможностях в области производства СВЧ-кристаллов, сборки СВЧ-транзисторов, интегральных схем, а также испытаний ИС и СВЧ-компонентов.

Далее докладчик более подробно остановился на продукции АО «НИИЭТ» в сфере СВЧ-электроники, которая включает, в частности, мощные ВЧ- и СВЧ-транзисторы, в том числе LDMOS, усилительные модули, монолитные и гибридные интегральные схемы. Особый акцент был сделан на приборах на основе нитрида галлия (GaN), поскольку эта технология обладает значительным потенциалом для создания передовых и перспективных полупроводниковых приборов – как силовых, так и сверхвысокочастотных. Игорь Семейкин привел дорожную карту развития GaN ЭКБ в АО «НИИЭТ» до 2028 года, в соответствии с которой уже выполнен ряд этапов, включая разработку собственной топологии и конструкции кристаллов по технологии нитрида галлия на кремнии (GaN-on-Si) и постановка ряда GaN-приборов на серийное производство по фаблесс-модели, в том числе на отечественной фабрике.

Рассказывая о направлении ИМС АО «НИИЭТ», докладчик привел ряд новинок предприятия. Среди них – 4-ядерный 32-разрядный процессор цифровой обработки сигналов 1867ВА016, 32-разрядный RISC-микроконтроллер 1921ВК035 и др. Также прозвучала информация о разрабатываемом в настоящее время микроконтроллере с ультранизким потреблением на основе архитектуры RISC-V, который сможет применяться в том числе в «умных» приборах и устройствах Интернета вещей.

Всего в рамках сессии «Российская ЭКБ и модули для гражданского рынка», входившей в трек «Кооперационный хаб», было заявлено 12 докладов, посвященных современным технологиям изготовления электронных компонентов и разработкам в области ЭКБ отечественных предприятий.

niiet.ru

Подробнее >>

Реклама