Исследователи из IMEC изготовили 8-разрядный микропроцессор, работающий на частоте 2.1 кГц. Нет, это не опечатка – именно, кГц, а не ГГц. В данном случае, 2.1 кГц – это технологический прорыв, поскольку транзисторы, из которых состоит процессор, полностью изготовлены из низкотемпературных органических материалов. Среди возможных областей применения подобных устройств можно назвать массовое производство печатных RFID-меток.
Бельгийский Холст-центр, IMEC и их партнер Evonik создали 8-разрядный микропроцессор общего назначения, используя изготовленные при температурах до 250 °C комплементарные тонкопленочные транзисторы (TFT), совместимые с полимерными пленочными подложками. «Гибридная» технология объединяет два типа полупроводников – оксид металла для TFT n-типа (из материалов компаний iXsenic и Evonik) и органические молекулы для TFT p-типа, образующие КМОП схему микропроцессора, работающего на беспрецедентной для TFT технологий тактовой частоте 2.1 кГц. Отчет о результатах исследований был опубликован в онлайн журнале Scientific Reports.
Низкотемпературная тонкопленочная электроника основана на органических и МОП структурах. Она имеет большой промышленный потенциал, открывающий возможность дешевого крупносерийного производства микросхем на полимерных пленках. Это делает тонкопленочную электронику привлекательной альтернативой кремниевым чипам в таких приложениях, как метки для радиочастотной идентификации (RFID) и коммуникации ближнего поля (NFC), датчики для интеллектуальной упаковки пищевых продуктов, а также крупноформатные гибкие дисплеи и OLED-светильники. Исследования Холст-центра (IMEC и TNO) в области тонкопленочной электроники направлены на разработку технологической платформы надежных, высокоэффективных устройств, совместимых с полимерными пленочными подложками, чтобы эти новые приложения смогли стать реальностью.
Новый 8-рарядный микроконтроллер работает на тактовой частоте 2.1 кГц. Он состоит из двух чипов: процессорного ядра и универсального генератора инструкций (P2ROM). При изготовлении процессорного ядра используется комплементарная гибридная технология, основанная на органических окисях с соотношением p:n равном 3:1. Транзисторы n-типа изготавливаются на базе обработанных 250-градусным раствором металл-оксидных TFT, имеющих, как правило, высокую подвижность носителей заряда (2 см2/В•с). Транзисторы p-типа – это низкомолекулярные органические TFT с подвижностью носителей до 1 см2/В•с. Комплементарная логика позволяет создавать более сложные и полные библиотеки стандартных элементов, включая дополнительные элементы буферизации процессорного ядра и зеркальный сумматор. В результате этих оптимизаций максимальную тактовую частоту удалось поднять до 2.1 кГц. Универсальный генератор инструкций P2ROM представляет собой однократно программируемое ПЗУ, конфигурируемое методом струйной печати с использованием проводящих серебряных чернил. Чип разделен на две области: гибридную комплементарную и униполярную, содержащую TFT n-типа. Чип способен работать на частотах до 650 Гц при напряжении питания 10 В.
Graham Prophet
EDN Europe
Исследователи из IMEC изготовили 8-разрядный микропроцессор, работающий на частоте 2.1 кГц. Нет, это не опечатка – именно, кГц, а не ГГц. В данном случае, 2.1 кГц – это технологический прорыв, поскольку транзисторы, из которых состоит процессор, полностью изготовлены из низкотемпературных органических материалов. Среди возможных областей применения подобных устройств можно назвать массовое производство печатных RFID-меток.
Бельгийский Холст-центр, IMEC и их партнер Evonik создали 8-разрядный микропроцессор общего назначения, используя изготовленные при температурах до 250 °C комплементарные тонкопленочные транзисторы (TFT), совместимые с полимерными пленочными подложками. «Гибридная» технология объединяет два типа полупроводников – оксид металла для TFT n-типа (из материалов компаний iXsenic и Evonik) и органические молекулы для TFT p-типа, образующие КМОП схему микропроцессора, работающего на беспрецедентной для TFT технологий тактовой частоте 2.1 кГц. Отчет о результатах исследований был опубликован в онлайн журнале Scientific Reports.
Низкотемпературная тонкопленочная электроника основана на органических и МОП структурах. Она имеет большой промышленный потенциал, открывающий возможность дешевого крупносерийного производства микросхем на полимерных пленках. Это делает тонкопленочную электронику привлекательной альтернативой кремниевым чипам в таких приложениях, как метки для радиочастотной идентификации (RFID) и коммуникации ближнего поля (NFC), датчики для интеллектуальной упаковки пищевых продуктов, а также крупноформатные гибкие дисплеи и OLED-светильники. Исследования Холст-центра (IMEC и TNO) в области тонкопленочной электроники направлены на разработку технологической платформы надежных, высокоэффективных устройств, совместимых с полимерными пленочными подложками, чтобы эти новые приложения смогли стать реальностью.
Новый 8-рарядный микроконтроллер работает на тактовой частоте 2.1 кГц. Он состоит из двух чипов: процессорного ядра и универсального генератора инструкций (P2ROM). При изготовлении процессорного ядра используется комплементарная гибридная технология, основанная на органических окисях с соотношением p:n равном 3:1. Транзисторы n-типа изготавливаются на базе обработанных 250-градусным раствором металл-оксидных TFT, имеющих, как правило, высокую подвижность носителей заряда (2 см2/В•с). Транзисторы p-типа – это низкомолекулярные органические TFT с подвижностью носителей до 1 см2/В•с. Комплементарная логика позволяет создавать более сложные и полные библиотеки стандартных элементов, включая дополнительные элементы буферизации процессорного ядра и зеркальный сумматор. В результате этих оптимизаций максимальную тактовую частоту удалось поднять до 2.1 кГц. Универсальный генератор инструкций P2ROM представляет собой однократно программируемое ПЗУ, конфигурируемое методом струйной печати с использованием проводящих серебряных чернил. Чип разделен на две области: гибридную комплементарную и униполярную, содержащую TFT n-типа. Чип способен работать на частотах до 650 Гц при напряжении питания 10 В.