Устройства, сертифицированные на соответствие требованиям стандартов автоэлектроники, снижают энергопотребление для повышения топливной экономичности автомобиля
Toshiba Electronics Europe разработала серию новых высокоэффективных N-канальных MOSFET для автомобильных приложений, основанных на собственном передовом технологическом процессе U-MOSVIII-H. Допустимые напряжения сток-исток приборов XPN3R804NC и XPN7R104NC составляют 40 В, тогда как XPN6R706NC рассчитан на работу при напряжении до 60 В. Все транзисторы имеют чрезвычайно низкие сопротивления в открытом состоянии, достигающие 3.8 мОм (для XPN3R804NC при 10 В), а также минимальные токи утечки.
Новые MOSFET выпускаются в корпусах TSON для поверхностного монтажа, занимающих минимальную площадь на печатной плате. Приборы имеют типовые размеры 3.3 мм × 3.6 мм и могут заменить устройства в корпусах с размерами 5 мм × 6 мм. Благодаря смачиваемым торцевым поверхностям контактов корпуса, упрощаются процедуры монтажа плат и автоматизированного оптического контроля.
MOSFET, полностью соответствующие требованиям стандарта AEC-Q101, предназначены для использования в автомобильной оборудовании. Благодаря компактности, приборы могут внести значительный вклад в уменьшение размеров электронных блоков управления транспортных средств. Другие возможные сценарии использования транзисторов включают импульсные регуляторы, DC/DC преобразователи и драйверы двигателей.
XPN12006NC XPN3R804NC XPN6R706NC XPN7R104NC
Устройства, сертифицированные на соответствие требованиям стандартов автоэлектроники, снижают энергопотребление для повышения топливной экономичности автомобиля
Toshiba Electronics Europe разработала серию новых высокоэффективных N-канальных MOSFET для автомобильных приложений, основанных на собственном передовом технологическом процессе U-MOSVIII-H. Допустимые напряжения сток-исток приборов XPN3R804NC и XPN7R104NC составляют 40 В, тогда как XPN6R706NC рассчитан на работу при напряжении до 60 В. Все транзисторы имеют чрезвычайно низкие сопротивления в открытом состоянии, достигающие 3.8 мОм (для XPN3R804NC при 10 В), а также минимальные токи утечки.
Новые MOSFET выпускаются в корпусах TSON для поверхностного монтажа, занимающих минимальную площадь на печатной плате. Приборы имеют типовые размеры 3.3 мм × 3.6 мм и могут заменить устройства в корпусах с размерами 5 мм × 6 мм. Благодаря смачиваемым торцевым поверхностям контактов корпуса, упрощаются процедуры монтажа плат и автоматизированного оптического контроля.
MOSFET, полностью соответствующие требованиям стандарта AEC-Q101, предназначены для использования в автомобильной оборудовании. Благодаря компактности, приборы могут внести значительный вклад в уменьшение размеров электронных блоков управления транспортных средств. Другие возможные сценарии использования транзисторов включают импульсные регуляторы, DC/DC преобразователи и драйверы двигателей.
Перевод: AlexAAN по заказу РадиоЛоцман