Новые MOSFET серии U-MOS IX-H имеют самые низкие сопротивления каналов в своем классе приборов
Toshiba Electronics Europe начала продажи двух новых 100-вольтовых N-канальных MOSFET, дополняющих серию низковольтных приборов U-MOS IX-H. Новые устройства идеально подходят для источников питания промышленного оборудования, а также для приложений управления двигателями.
Изготовленные с использованием новейшего технологического процесса U-MOS IX-H компании Toshiba, оптимизирующего элементы транзисторных структур, MOSFET TPH3R70APL и TPN1200APL имеют самые низкие для своего класса приборов сопротивления открытых каналов, равные 3.7 мОм и 11.5 мОм, соответственно. Устройства отличаются низкими зарядами выхода (74/24 нК) и затвора (21/7.5 нК) и управляются логическими уровнями 4.5 В.
По сравнению с устройствами, выпускавшимися до настоящего времени по техпроцессу U-MOS VIII-H, новые транзисторы имеют наименьшие значения таких критериев качества переключающих MOSFET, как произведение сопротивления канала на выходной заряд и произведение сопротивления канала на заряд затвора.
TPH3R70APL выпускается в усовершенствованном корпусе SOP размером 5 мм × 6 мм и способен коммутировать токи до 90 А, в то время как TPN1200APL выпускается в корпусе TSON с размерами 3 мм × 3 мм и рассчитан на уровни токов до 40 А.
Следуя тенденциям рынка, Toshiba Electronics Europe продолжит расширять портфель MOSFET, повышающих эффективность источников питания.
Новые MOSFET серии U-MOS IX-H имеют самые низкие сопротивления каналов в своем классе приборов
Toshiba Electronics Europe начала продажи двух новых 100-вольтовых N-канальных MOSFET, дополняющих серию низковольтных приборов U-MOS IX-H. Новые устройства идеально подходят для источников питания промышленного оборудования, а также для приложений управления двигателями.
Изготовленные с использованием новейшего технологического процесса U-MOS IX-H компании Toshiba, оптимизирующего элементы транзисторных структур, MOSFET TPH3R70APL и TPN1200APL имеют самые низкие для своего класса приборов сопротивления открытых каналов, равные 3.7 мОм и 11.5 мОм, соответственно. Устройства отличаются низкими зарядами выхода (74/24 нК) и затвора (21/7.5 нК) и управляются логическими уровнями 4.5 В.
По сравнению с устройствами, выпускавшимися до настоящего времени по техпроцессу U-MOS VIII-H, новые транзисторы имеют наименьшие значения таких критериев качества переключающих MOSFET, как произведение сопротивления канала на выходной заряд и произведение сопротивления канала на заряд затвора.
TPH3R70APL выпускается в усовершенствованном корпусе SOP размером 5 мм × 6 мм и способен коммутировать токи до 90 А, в то время как TPN1200APL выпускается в корпусе TSON с размерами 3 мм × 3 мм и рассчитан на уровни токов до 40 А.
Следуя тенденциям рынка, Toshiba Electronics Europe продолжит расширять портфель MOSFET, повышающих эффективность источников питания.