Более низкое энергопотребление благодаря управлению логическими уровнями 4.5 В для работы в схемах быстрой зарядки.
Компания Toshiba Electronics Europe расширяет серию устройств U-MOS VIII-H и представляет два новых низковольтных мощных МОП-транзистора с каналом n-типа. МОП-транзисторы предназначены для применения в таких системах, как устройства быстрой зарядки, импульсные источники питания и преобразователи постоянного тока. Оба мощных МОП-транзистора с каналом n-типа на 100 В поддерживают управление логическими уровнями 4.5 В для устройств быстрой зарядки.
Наряду с популярными устройствами быстрой зарядки более эффективные мощные МОП-транзисторы также необходимы для работы в выпрямителях на вторичной стороне. В новых МОП-транзисторах используется технологический процесс формирования структуры канавки для низковольтных устройств, позволяющий добиться ведущих в отрасли [1] показателей сопротивления в открытом состоянии и быстродействия.
Усовершенствованная структура полупроводника обеспечивает увеличение основного показателя добротности (RDS(ON) × QSW [2]), тем самым повышая эффективность работы схем переключения. Потери на выходе снижаются за счет уменьшения выходного заряда, что повышает эффективность работы систем.
Допустимый ток транзистора TPH6R30ANL (ID) составляет до 45 А при низком RDS(ON), равном всего 6.3 мОм, тогда как для TPH4R10ANL эти значения равны 70 А и 4.1 мОм.
Поддержка управления логическими уровнями 4.5 В позволяет реализовать непосредственное управление от ИС контроллера, и тем самым снизить энергопотребление. Кроме того, транзисторы совместимы с источниками питания с высоким выходным напряжением, необходимыми в системах, поддерживающих стандарт USB 3.0. Стандартный корпус SOP-Advance размером 5 мм × 6 мм помогает экономить пространство на печатной плате.
Оба устройства уже доступны для заказа.
Примечания
[1] Исследование Toshiba, устройства с такими же характеристиками, 11 января 2017 г.
[2] RDS(ON): сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии. QSW: заряд переключения затвора.
Более низкое энергопотребление благодаря управлению логическими уровнями 4.5 В для работы в схемах быстрой зарядки.
Компания Toshiba Electronics Europe расширяет серию устройств U-MOS VIII-H и представляет два новых низковольтных мощных МОП-транзистора с каналом n-типа. МОП-транзисторы предназначены для применения в таких системах, как устройства быстрой зарядки, импульсные источники питания и преобразователи постоянного тока. Оба мощных МОП-транзистора с каналом n-типа на 100 В поддерживают управление логическими уровнями 4.5 В для устройств быстрой зарядки.
Наряду с популярными устройствами быстрой зарядки более эффективные мощные МОП-транзисторы также необходимы для работы в выпрямителях на вторичной стороне. В новых МОП-транзисторах используется технологический процесс формирования структуры канавки для низковольтных устройств, позволяющий добиться ведущих в отрасли [1] показателей сопротивления в открытом состоянии и быстродействия.
Усовершенствованная структура полупроводника обеспечивает увеличение основного показателя добротности (RDS(ON) × QSW [2]), тем самым повышая эффективность работы схем переключения. Потери на выходе снижаются за счет уменьшения выходного заряда, что повышает эффективность работы систем.
Допустимый ток транзистора TPH6R30ANL (ID) составляет до 45 А при низком RDS(ON), равном всего 6.3 мОм, тогда как для TPH4R10ANL эти значения равны 70 А и 4.1 мОм.
Поддержка управления логическими уровнями 4.5 В позволяет реализовать непосредственное управление от ИС контроллера, и тем самым снизить энергопотребление. Кроме того, транзисторы совместимы с источниками питания с высоким выходным напряжением, необходимыми в системах, поддерживающих стандарт USB 3.0. Стандартный корпус SOP-Advance размером 5 мм × 6 мм помогает экономить пространство на печатной плате.
Оба устройства уже доступны для заказа.
Примечания
[1] Исследование Toshiba, устройства с такими же характеристиками, 11 января 2017 г.
[2] RDS(ON): сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии. QSW: заряд переключения затвора.