Новый корпус компании Toshiba со сверхнизким сопротивлением совместим на уровне монтажа со стандартным D2PAK
Компания Toshiba Electronics Europe расширяет серию мощных автомобильных МОП-транзисторов и представляет TK1R5R04PB – первое устройство в новом корпусе со сверхнизким сопротивлением D2PAK+. Корпус D2PAK+ совместим на уровне монтажа с традиционным корпусом D2PAK (или TO-263), но имеет более низкое собственное сопротивление. Это достигается за счет значительно большей ширины вывода истока возле поверхности входа в корпус по сравнению с традиционным корпусом D2PAK.
TK1R5R04PB рассчитан на напряжение 40 В и ток 160 А и имеет максимальное сопротивление в открытом состоянии, равное 1.5 мОм (VGS = 10 В). Номинальное минимальное и максимальное пороговое напряжение (Vth) составляет 2 В и 3 В соответственно.
Для производства транзисторов TK1R5R04PB используется новейший технологический процесс обработки пластин UMOS IX-H компании Toshiba. Технологический процесс UMOS IX-H обеспечивает превосходное подавление пульсаций при переключении и помогает снизить уровень электромагнитных помех при работе устройства.
Новое устройство предназначено для применения в автомобильных насосах, вентиляторах, преобразователях постоянного тока и переключателях нагрузки.
TK1R5R04PB будет соответствовать требованиям сертификации автомобильных компонентов AEC-Q101.
Новый корпус компании Toshiba со сверхнизким сопротивлением совместим на уровне монтажа со стандартным D2PAK
Компания Toshiba Electronics Europe расширяет серию мощных автомобильных МОП-транзисторов и представляет TK1R5R04PB – первое устройство в новом корпусе со сверхнизким сопротивлением D2PAK+. Корпус D2PAK+ совместим на уровне монтажа с традиционным корпусом D2PAK (или TO-263), но имеет более низкое собственное сопротивление. Это достигается за счет значительно большей ширины вывода истока возле поверхности входа в корпус по сравнению с традиционным корпусом D2PAK.
TK1R5R04PB рассчитан на напряжение 40 В и ток 160 А и имеет максимальное сопротивление в открытом состоянии, равное 1.5 мОм (VGS = 10 В). Номинальное минимальное и максимальное пороговое напряжение (Vth) составляет 2 В и 3 В соответственно.
Для производства транзисторов TK1R5R04PB используется новейший технологический процесс обработки пластин UMOS IX-H компании Toshiba. Технологический процесс UMOS IX-H обеспечивает превосходное подавление пульсаций при переключении и помогает снизить уровень электромагнитных помех при работе устройства.
Новое устройство предназначено для применения в автомобильных насосах, вентиляторах, преобразователях постоянного тока и переключателях нагрузки.
TK1R5R04PB будет соответствовать требованиям сертификации автомобильных компонентов AEC-Q101.