В новых устройствах сочетаются высокий КПД и низкий уровень шумов
Компания Toshiba объявила о начале производства серий 600-вольтовых планарных MOSFET, изготавливаемых по новой технологии, имеющей фирменное название «π-MOS IX». Приборы предназначены для импульсных источников питания малой и средней мощности подобных тем, которые используются в ноутбуках, сетевых адаптерах, игровых консолях и осветительных приложениях.
Благодаря оптимизированной конструкции кристаллов, приборы серии π-MOS IX позволяют до 5 дБ снизить пиковые уровни электромагнитных излучений по сравнению с транзисторами предыдущего поколения π-MOS VII, сохранив столь же высокие значения КПД. На первом этапе в семейство π-MOS IX вошли транзисторы TK1K9A60F, TK1K2A60F, TK750A60F и TK650A60F с сопротивлениями открытого канала от 1.9 Ом до 0.65 Ом. Устройства, рассчитанные на те же диапазоны лавинного и постоянного токов, что и транзисторы предыдущего поколения, упростят модернизацию существующих схем.
Новые MOSFET выпускаются в стандартных корпусах TO-220SIS. В ближайшее время Toshiba планирует расширить семейство π-MOS IX более высоковольтными транзисторами, а также версиями на 500 В и 650 В.
В новых устройствах сочетаются высокий КПД и низкий уровень шумов
Компания Toshiba объявила о начале производства серий 600-вольтовых планарных MOSFET, изготавливаемых по новой технологии, имеющей фирменное название «π-MOS IX». Приборы предназначены для импульсных источников питания малой и средней мощности подобных тем, которые используются в ноутбуках, сетевых адаптерах, игровых консолях и осветительных приложениях.
Благодаря оптимизированной конструкции кристаллов, приборы серии π-MOS IX позволяют до 5 дБ снизить пиковые уровни электромагнитных излучений по сравнению с транзисторами предыдущего поколения π-MOS VII, сохранив столь же высокие значения КПД. На первом этапе в семейство π-MOS IX вошли транзисторы TK1K9A60F, TK1K2A60F, TK750A60F и TK650A60F с сопротивлениями открытого канала от 1.9 Ом до 0.65 Ом. Устройства, рассчитанные на те же диапазоны лавинного и постоянного токов, что и транзисторы предыдущего поколения, упростят модернизацию существующих схем.
Новые MOSFET выпускаются в стандартных корпусах TO-220SIS. В ближайшее время Toshiba планирует расширить семейство π-MOS IX более высоковольтными транзисторами, а также версиями на 500 В и 650 В.