Toshiba расширяет семейство 250-вольтовых быстродействующих MOSFET для поверхностного монтажа
04.02.2014

Последние компактные модели MOSFET семейства UMOS VIII-H, обладающие низким сопротивлением открытого канала и малой входной емкостью, предназначены для импульсных приложений с напряжением от 60 В до 250 В

Toshiba Electronics Europe анонсировала пополнение своего семейства высокоэффективных MOSFET семейства UMOS VIII-H. 32 новых прибора помогут разработчикам уменьшить занимаемую площадь и снизить потери в схемах синхронных выпрямителей импульсных преобразователей, а также в других приложениях, где требуется приборы с напряжением от 60 В до 250 В.

Toshiba - UMOS VIII-H

Новые MOSFET имеют ряд номинальных напряжений 60 В, 80 В, 100 В, 150 В, 200 В и 250 В. Все приборы доступны в плоских корпусах для поверхностного монтажа TSON и SOP с размерами, соответственно 3 × 3 мм и 5 × 6 мм. Большинство приборов семейства имеет лучшее в своем классе сопротивление открытого канала. Например, при напряжении затвора 10 В максимальное сопротивление канала 100-вольтового TPH4R50ANH равно 4.5 мОм, а 200-вольтового TPH2900ENH – 29 мОм. Низкие сопротивления каналов транзисторов сочетаются с очень малыми зарядами затвора и входными емкостями.

Новые MOSFET семейства UMOS VIII-H основаны на восьмом поколении техпроцесса UMOS trench. Этот процесс обеспечивает существенное уменьшение сопротивления открытого канала и входной емкости, что оптимизирует энергоэффективность и скорость переключения, и, одновременно, снижает уровень излучаемых помех.

Целевыми приложениями для новых MOSFET с напряжением 60 - 250 В являются AC/DC и DC/DC преобразователи в промышленных системах, бытовой технике, вычислительных системах и игровых продуктах. Приборы с напряжением 80 - 150 В особенно подходят для источников питания различных телекоммуникационных приложений.

Подробнее >>

Реклама